产品详细介绍： 
详细情况
产品名称：LN61C 
主要性能指标：检测范围：1.5-6.0V，温度特性：±100ppm
封装形式：SOT23-3，SOT89，TO92，SSOT24
兼容型号：XC61C
■ 产品概述
        LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的*、低功耗、小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持*高的精度。客户可选择CMOS输出或 Open Drain输出。


■ 产品特点
*：±2%
低功耗：0.8uA（Vin=1.5V）
检测电压范围：1.5V~6.0V，100mV步进
工作电压范围：0.7V~8.0V
检测电压温度特性：±100ppm(t*.)

输出配置：N-channel open drain 或 CMOS
小封装：SOT23-3，SOT-89，TO-92，SSOT24


■应用场合
微处理器复位电路
存储器电池备份电路
上电复位电路
供电失效检测
系统电池寿命和充电电压*。
窗比较器
波形锐化电路

产品名称：LN61F 
主要性能指标：检测范围: 1.5V ~ 5.0V，Iq=1.5uA
封装形式：TO92，SOT23
兼容型号：XC61F
■ 产品概述
LN61F系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片，具*低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围，基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置*，减少了应用电路中的外围器件。.


■ 产品特点
*: ± 2%
低功耗: 小于1.5μA
产品检测范围: 1.5V ~ 5.0V 0.1V步进
工作范围: 0.7V ~ 7.0V
检测电压温度特性:±100ppm/℃(TYP.)
内置*:
① 1ms ~ 50ms
② 50ms ~ 200ms
③ 80ms ~ 400ms
输出方式:N管漏端开路或CMOS


■产品应用
 微处理器复位电路
记忆体电池备份电路
电源上电复位电路
电源无效检测
系统电池寿命和充电电压监测
延迟电路


■ 封装
CMOS
小型封装
*小型封装: SOT-23 (150mW)
                 : SOT-89 (500mW)
                 : TO-92 (300mW)