| 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 2SA562TM-O |
| 应用范围 | 达林顿 | 材料 | 硅(Si) |
| *性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 1（V） |
| 集电**大允许电流ICM | 3（A） | 集电**大耗散功率PCM | 5（W） |
| 截止频率fT | 8（MHz） | 结构 | 点接触型 |
| 封装形式 | SOP/DIP | 封装材料 | 金属封装 |
本公司为东芝代理商，**产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强,该料为香港发货
| 部件型号 | 2SA562TM | |
| *性 | PNP | |
| 集电*-发射*电压VCEO | -30 V | |
| 集电*电流IC | -500 mA | |
| 集电*-发射*饱和电压VCE(sat) | -0.25 V | |
| DC电流增益hFE, max | 240 | |
| DC电流增益hFE, min | 70 | |
| 封装 | TO-92 | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 互补产品 | 2SC1959 | |
| 备注 | 低噪声 | |
| 产品分类 | 低频小信号放大器用晶体管 | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 |
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