*RS120T3
Preferred设备
Surface登上
Schottky力量整流器
This设备在一个大区域使用肖特基障碍原则
metal−to−silicon力量二*管。 State−of−the−art几何以为特色有氧化物钝化和金属覆盖物的epitaxial建筑
contact. 理论上适合于低压，高频率整流或者
as释放轮和*性在表面登上的保护二*管
applications袖珍型和重量对系统*的地方。
Features与J−Bend主角的•小紧凑表面可登上的包裹自动化的处理的•长方形包裹
•很稳定的氧化物被钝化的连接点
•*低正向电压下落(0.55伏特*大@ 1.0 A， TJ = 25°C)
•*能力承受反向雪崩能量*重音保护的• Guard−Ring
• Pb−Free包裹是可利用的
Mechanical特征
•案件： 环氧，被铸造
•重量： 95毫克(大约)
•结束： *外部浮出水面*腐蚀和终端
Leads欣然是Solderable
•焊接的目的主角和安装面温度：*大260°C。 10秒
•负**性带
MAXIMUM规定值
Rating标志价值单位
Peak反复反向电压
Working高峰反向电压
DC闭塞电压
VRRM
VRWM
VR
20 v
Average矫正了向前潮流
(TL = 115°C)
IF (*) 1.0 A
Non−Repetitive高峰冲击电流
(浪涌被应用在额定负荷情况
Halfwave，单相， 60 Hz)
IFSM 40 A
Operating结温对+125 °C的TJ −65
Maximum规定值是之外设备损伤可能发生的那些价值在。
Maximum规定值适用于设备是各自的重音*限值(没有
normal操作条件)和同时是无效的。 如果这些*限是
exceeded，设备功能操作没有被暗示，损伤也许发生和
reliability也许受影响。
Device包裹Shipping†
ORDERING信息
S*
CASE 403A
PLASTIC
*RS120T3 S* 2500/Tape &卷轴
SCHOTTKY障碍
RE*IFIER1.0安培， 20伏特
Preferred设备是建议使用的选择以后使用
and*佳的整体价值。
MARKING图
B12