直插型
C3636、C3679、C3997
硅(Si)
拆机
023
功率
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∟ 整流二极管(10)∟ 稳压二极管(35)∟ 开关二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(22)∟ 快/超快/特快恢复二极管(19)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 肖特基二极管(55)∟ 光敏二极管(3)∟ 其他二极管(4)
半导体三*管又称“晶体三*管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电*引线，分别叫基*B、发射*E和集电*C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三*管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个*。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。
① 基*的判别
判别管*时应*先确认基*。对于PNP管，用黑表笔接假定的基*，用红表笔分别接触另外两个*，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时假定*就是基*。NPN管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏（电阻均较小）的情况下，红表笔接基*。
实际上，小功率管的基*一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基*，既可测定三*管的两个PN结是否完好（与二*管PN结的测量方法一样），又可确认管型。
② 集电*和发射*的判别
确定基*后，假设余下管脚之一为集电*c，另一为发射*e，用手指分别捏住c*与b*（即用手指代替基*电阻Rb）。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c*、用红表笔接e*（PNP管相反），观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c*，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度大的表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e*正确。
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