深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2111STRPBF场效应管

材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
IR2111STRPBF
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
品牌/商标：
IR/国际整流器
用途：
TR/激励、驱动
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装：
SOP-8
高压侧电压 - 值：
600V
电压 - 电源：
10 V ~ 20 V

发布询价信息

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产品分类

二极管(4)
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
三极管(2)
∟ 低噪声三极管(1)
场效应管MOSFET(51)
∟ MOSFET(44)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

新品上架

商品信息

MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

参数
配置（高端和低端，同步）
输入类型（非反相）
延迟时间（750ns）
电流 - 峰值（250mA）
配置数（1）
输出数（2）
高压侧电压 - *大值（自举）（ 600V）
电压 - 电源（10 V ~ 20 V）
工作温度（-40°C ~ 125°C）

特点
浮动通道设计为引导操作
*运作，以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从10日至20V的栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
CMOS施密特触发器输入端采用下拉
两个通道的匹配传播延迟
内部设置*区时间
相高侧输出与输入
也可用LEAD-FREE

描述
IR2111（S）是一种高电压，*功率
MOSFET和IGBT驱动器，依赖高
低侧参考输出通道设计为半
桥应用。专有HVIC和锁存
免疫CMOS技术使坚固耐用
单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS输出。输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级，设计
驱动器跨导。内部*区时间
避免直通输出半桥式。“
浮动通道可用来驱动的的N-channelpowerMOSFET或IGBT在高侧配置的可在*600伏。

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