TOSHIBA/东芝
2SK2837
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
P-FET硅P沟道
类型:经销商
电话:
联系人:苏志远
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳福田区华强北振华路航苑大厦东座902
∟ 结型场效应管(63)
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 20A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 10A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3720pF @ 10V
功率 - *大 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
供应商设备封装 TO-*(N)
包装 管件
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司