PHILIPS/Fairchild/长电
BSS123
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
20（V）
2（V）
0.2（pF）
30（dB）
类型：经销商
电话：
联系人：张新旭
地址：广东东莞中国 广东 东莞市 长安镇明和电子广场科技楼区F1702
∟ 结型场效应管(4)
| 技术/目录信息 | BSS123-7-F |
| 销售商 | Diodes Inc (VA) |
| 分类 | 分离式半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| FET 型 | N 沟道 |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 170mA |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 在 170mA、10V 时为 6 欧姆 |
| 输入电容(Ciss) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| 功率 - *大 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (*) |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 无铅状态 | Lead Free |
| ROHS状态 | RoHS Compliant |
| 其它名称 | BSS123 7 F BSS1237F BSS123 FDI* ND BSS123FDI*ND BSS123-FDI* |
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