您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > 结型场效应管

F21NM60N STF21NM60N *原装ST公司TO-220F 18A 600V

F21NM60N STF21NM60N *原装ST公司TO-220F 18A 600V
F21NM60N STF21NM60N *原装ST公司TO-220F 18A 600V
  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    STF21NM60N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    HA/行输出级

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 开启电压:

    600(V)

  • 夹断电压:

    600(V)

  • 跨导:

    10(μS)

  • *间电容:

    10(pF)

普通会员
产品分类
商品信息

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝其他名稱
STx21NM60N(-1)
TO-220AB
ST Series TO-220FP, TO-*F
50
離散半導體產品
FET - 單路
MDmesh™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
220 毫歐姆 @ 8.5A, 10V
600V
17A
4V @ 250µA
66nC @ 10V
1900pF @ 50V
30W
通孔
TO-220-3全封裝
TO-220FP
管裝
497-5004-5規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝其他名稱
STx21NM60N(-1)
TO-220AB
ST Series TO-220FP, TO-*F
50
離散半導體產品
FET - 單路
MDmesh™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
220 毫歐姆 @ 8.5A, 10V
600V
17A
4V @ 250µA
66nC @ 10V
1900pF @ 50V
30W
通孔
TO-220-3全封裝
TO-220FP
管裝
497-5004-5
"

联系方式

企业名:结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司

类型:经销商

电话:

手机:13686863821

联系人:古泳

地址:广东深圳中国 广东 深圳市 福田区华强广场D座21楼J室

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9