场效应模块IXDN55N120D1

品牌：
IXYS/艾赛斯
型号：
IXDN55N120D1
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-HBM/半桥组件
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
.（V）
夹断电压：
.（V）
跨导：
.（μS）
*间电容：
.（pF）

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企业名：结型场效应管苏永青

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场效应管MOSFET(47)
∟ 结型场效应管(29)

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商品信息 更新时间：2013-01-28

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