IXYS原装场效应二三管 IXTH30N50P

品牌：
IXY美国电报半导体
型号：
IXTH30N50P
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-INM/*组件
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
*肖特基势垒栅
开启电压：
22（V）
夹断电压：
22（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

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场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

IXYS*原装场效应二三*管 IXTH30N50P

IXTH30N50P产品规格参数

Datasheets IXT(H,Q,T,V)30N50P(S)
Product Photos IXTH30N50P
Catalog Drawings TO-247AD 3-Leads
Standard Package 30
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series PolarHV™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4150pF @ 25V
Power - Max 460W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AD
Packaging Tube
Catalog Page 1406 (US2011 Interactive)
1406 (US2011 PDF)

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