东芝场效应管 K3569 2SK3569 日本产地原装/散新

品牌：
TOSHIBA/东芝
型号：
K3569 2SK3569
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
*肖特基势垒栅
开启电压：
33（V）
夹断电压：
3（V）
跨导：
3（μS）
*间电容：
33（pF）

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产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

东芝场效应管 K3569 2SK3569 日本产地原装/散新

K3569 2SK3569产品规格参数

Datasheets 2SK3569
Mosfets Prod Guide
Product Photos 2SK3569(Q)
Catalog Drawings TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Power - Max 45W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220SIS
Packaging Tube
Other Names 2SK3569(Q)
2SK3569Q
2SK3569Q-ND