DIOD**原装场效应 R2060FP

品牌：
DIOD*/美台
型号：
*R2060*FP
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
M*金属半导体
开启电压：
22（V）
夹断电压：
22（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

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场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息 更新时间：2012-12-14

DIOD**原装场效应 *R2060*FP

*R2060*FP产品规格参数 PDF

Datasheets *R2060*(FP)
Product Photos AOT3N50
Product Training Modules Super Barrier Rectifier (*R®)
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family Diodes, Rectifiers - Arrays
Series *R®
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 700mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 500µA @ 60V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Reverse Recovery Time (trr) -
Diode T*e Super Barrier
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Isolated Tab
Supplier Device Package ITO-220AB
Packaging Tube
Other Names *R2060*FPDI