FAIRCHILD/*童
FQPF12N60C
结型(JFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
原厂规格(V)
原厂规格(V)
原厂规格(μS)
原厂规格(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
置:
晶体管*性:N-Channel
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管*性: N-Channel 电阻汲*/源* RDS(导通): 0.65 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 13 S 汲*/源*击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏*连续电流: 12 A 功率耗散: 51000 mW *大工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube *小工作温度: - 55 C *件号别名: FQPF12N60C_NL |
13 S
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