IXY美国电报半导体
IXTQ82N25P
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P
IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P
IXTQ82N25P产品规格 参数 PDF
制造商: IXYS
RoHS: 详细信息
晶体管*性: N Channel
汲*/源*击穿电压: 250 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 82 A
电阻汲*/源* RDS(导通): 35 mOhms
配置: Single
*大工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-*
封装: Tube
下降时间: 22 ns
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 500000 mW
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 78 ns
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司