【IR优势供应场效应管系列】IRFB31N20DPBF FB31N20D

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRFB31N20DPBF FB31N20D
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
NF/音频(低频)
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
SIT静电感应
开启电压：
22（V）
夹断电压：
22（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

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类型：经销商

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产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

【IR优势供应场效应管系列】IRFB31N20DPBF FB31N20D

IRFB31N20DPBF FB31N20D产品规格参数

Datasheets IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF
Product Photos TO-220AB PKG
Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2370pF @ 25V
Power - Max 3.1W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1297 (US2011 Interactive)
1297 (US2011 PDF)
Other Names *IRFB31N20DPBF