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*原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G

品牌：
INFINEON/英飞凌
型号：
IPB042N10N3G
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-HBM/半桥组件
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
*肖特基势垒栅
开启电压：
33（V）
夹断电压：
33（V）
跨导：
33（μS）
*间电容：
33（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强三店3A132(佳和大厦)

产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-17

*原装正品场效应 MOS管 IPB042N10N3G

IPB042N10N3G产品规格参数 PDF

Datasheets IPx0(42,45)N10N3 G
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series OptiMOS™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 117nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50V
Power - Max 214W
Mounting T*e Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263AB
Supplier Device Package PG-TO263-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB042N10N3GE8187ATMA1
SP