专营童原装场效应管 F*11N60 11N60

品牌：
FAIRCHILD/*童
型号：
F*11N60 11N60
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
SENSEFET电流敏感
开启电压：
22（V）
夹断电压：
22（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强三店3A132(佳和大厦)

产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-02-09

专营*童*原装场效应管 F*11N60 11N60

F*11N60 11N60产品规格参数

数据列表 FCP11N60, F*11N60

产品相片 F*11N60

产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing

产品目录绘图 MOSFET TO-220F

标准包装 50
类别分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点标准型

漏*至源*电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 11A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 5.5A, 10V

Id 时的 Vgs(th)（*大） 5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1490pF @ 25V

功率 - *大 36W

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3 整包

供应商设备封装 TO-220F

包装管件

产品目录页面 1608 (CN2011-ZH PDF)

其它名称 F*11N60_NL
F*11N60_NL-ND