CER-DIP/陶瓷直插
*RB8H100T4G
GaAS-FET砷化镓
MOS-FBM/全桥组件
ON/安森美
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
类型：经销商
电话：
联系人：陈义伟
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
*RB8H100T4G 产品规格 参数 PDF
*RB8H100T4G
产品相片 TO-263
标准包装 1
类别 分立半导体产品
家庭 单二*管/整流器
系列 SWITCHMODE™
二*管类型 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（*大值） 100V
电流 - 平均整流 (Io) 8A
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 710mV @ 8A
速度 * =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 4.5µA @ 100V
不同 Vr、F 时的电容 600pF @ 4V，1MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装 Digi-Reel®
其它名称 *RB8H100T4GOSDKR
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
