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MTD6N20ET4 功率MOSFET6安培，200伏特

品牌/商标：
0N/安森美
型号/规格：
MTD6N20ET4
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区时代超想电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：赵远明

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区振华路高科德电子市场52873（即K2电梯旁）

产品分类

场效应管MOSFET(7)
∟ 结型场效应管(4)

新品上架

商品信息 更新时间：2012-12-16

制造商:

ON Semiconductor

产品种类:

MOSFET

晶体管*性:

N-Channel

汲*/源*击穿电压:

200 V

闸/源击穿电压:

/- 20 V

漏*连续电流:

6 A

电阻汲*/源* RDS（导通）:

700 mOhms

配置:

Single

*大工作温度:

150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

DPAK

封装:

Reel

下降时间:

20 ns

正向跨导 gFS（*大值/*小值）:

1.5 S

*小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

50000 mW

上升时间:

29 ns

工厂包装数量:

2500

典型关闭延迟时间:

22 ns

"

联系方式

企业名：结型场效应管深圳市福田区时代超想电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：赵远明

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区振华路高科德电子市场52873（即K2电梯旁）

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