FUJI/富士通
2SK2806
结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
类型:经销商
电话:
联系人:李俊龙
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路都会电子城3B115(柜台)深南中路福田大厦东部1402(公司)
∟ 结型场效应管(32)
原装现货,欢迎查询
产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 详细信息 |
配置: | Single |
晶体管*性: | N-Channel |
电阻汲*/源* RDS(导通): | 1.4 Ohms |
汲*/源*击穿电压: | 900 V |
闸/源击穿电压: | /- 30 V |
漏*连续电流: | 8 A |
功率耗散: | 85 W |
*大工作温度: | 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-*(N)IS |
封装: | Bulk |
*小工作温度: | - 55 C |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司