TOSHIBA/东芝
IRFBC30PBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
类型:经销商
电话:
联系人:李俊龙
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路都会电子城3B115(柜台)深南中路福田大厦东部1402(公司)
∟ 结型场效应管(32)
原装现货,欢迎订购
说明: | MOSFET 功率 N-Chan 600V 3.6 Amp |
电阻汲*/源* RDS(导通): | 2.2 Ohm @ 10 V |
汲*/源*击穿电压: | 600 V |
闸/源击穿电压: | /- 20 V |
|
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司