IR/国际整流器
IRFZ34NPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
WAFER/裸芯片
GE-P-FET锗P沟道
类型：经销商
电话：
联系人：李俊龙
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路都会电子城3B115（柜台）深南中路福田大厦东部1402(公司）
∟ 结型场效应管(32)
原装现货，欢迎订购
| 说明： | MOSFET 功率 55V Single N-Channel HEXFET |
| 电阻汲*/源* RDS（导通）: | 40 m Ohms |
| 正向跨导 gFS（*大值/*小值）: | 6.5s |
| 汲*/源*击穿电压: | 55 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 20 V |
| 漏*连续电流: | 26 A |
| 功率耗散: | 68 W |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
