IR/国际整流器
IRF9620S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
| 数据列表 | IRF9620 |
| Packaging Information | |
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源*电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） | 3.5A |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 350pF @ 25V |
| 功率 - *大值 | 40W |
| 安装类型 | 表面 |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 包装 | 编带 |
75N75
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:75NF75 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装...
PFF2N60美国PGS
型号/规格:SVF2N60 品牌/商标:PGS / SL 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:小功率 ...
MAC12HCD场效应管
品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:MAC12HCD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-INM/*组件...
功率MOS管
型号/规格:AP10N06S 品牌/商标:AP 封装形式:SOP8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:超大功率
<...
mosfet场效应管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF1405PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TR/激励、驱...
双N沟道MOSFET管
品牌/商标:ANPEC/茂达 型号/规格:APM7313KC-TR 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放...
原装拆机场效应管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:F1010E 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:DC/直流 封装外形...
AOS场效应管
品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AO3416 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TR/激励、驱动 封...
汕头市恒科信电子是一家能提供配套服务的电子元器件供应商。本行专营世界各国厂家集成电路，主导产品覆盖 通讯，电源 存储 单片机二三极管等多个领域。在电子元器件行业已拥有多年销售经验。我们货源直接，品种齐全，价格合理。“信誉，质量”是我们的一贯宗旨。欢迎新老客户，厂商前来洽谈或来电垂询！ 经营系列；MAX AD TI ATMEL XILINX ATLERA(EPM EPF EP1K)通信系列及SST ISSI SAMSUNG 等各类存储器 二三极管 场效应管 光电耦合等一系列集成电路。
主营范围
IC集成电路;电脑IC;通讯IC;存储器;单片机;二三极管;偏冷门及停产集成;场效应管;
