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高压场效应管

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源头工厂
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 姚淳杰

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东深圳
  • 手机:13760337659

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STB21NM60ND

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    7N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2sk3586/k3586

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

高压场效应管技术资料

  • 选择高压场效应管实现节能

    高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之...

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