您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

功率场效应管

(共找到“10”条查询结果)
广东
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
  • 型号/规格:

    ST2301

  • 品牌/商标:

    STANSON

  • 封装形式:

    塑料封装

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片

  • 功率特征:

    小功率

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 应用范围:

    微波

  • 品牌/商标:

    *芯片

  • 型号/规格:

    2N1818

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    功率型

  • 集电*耗散功率PCM:

    300

  • 集电*允许电流ICM:

    30

  • 截止频率fT:

    1

  • 品牌/型号:

    IR

  • 材料:

    硅Si

公司主要经营产品:开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小*率管等系列贴片二、三*管、钽电容、电容、电阻、电感、...

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    1*H60D-100,1*H60-100

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGA25N120*童

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    Alpha/阿尔法

  • 型号/规格:

    AOD413

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    1

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    2SK3568

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物、MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    CANCA

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 批号:

    年份

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    FQP10N60CF

  • 品牌/商标:

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 沟道类型:

    N沟道

    型号:75NF75 Parameter Symbol Value Unit Drain-source Voltage (VGS = 0) VDS 75 V Drain-gate Voltage (RGS = 20 k) VDGR 75 V Gate- source Voltage VGS ± 20 V Drain Current (continuous) at TC = 25...

    什么是功率场效应管?

    •   功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,具有自关断能力,驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
    • 功率场效应管

    功率场效应管技术资料

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购功率场效应管进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

    免责声明:以上所展示的功率场效应管信息由会员自行提供,功率场效应管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

    友情提醒:为规避购买功率场效应管产品风险,建议您在购买功率场效应管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。