ST2301
STANSON
塑料封装
普通型
贴片
小功率
盒带编带包装
电话:0755-83551150
手机:13824384710
微波
*芯片
2N1818
硅(Si)
功率型
300
30
1
手机:13670546826
IR
硅Si
公司主要经营产品:开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小*率管等系列贴片二、三*管、钽电容、电容、电阻、电感、...
电话:13632972449
FUJI/富士通
1*H60D-100,1*H60-100
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15989735439
FAIRCHILD/*童
FGA25N120*童
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
Alpha/阿尔法
AOD413
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:13760337659
1
N-FET硅N沟道
结型(JFET)
2SK3568
P-DIT/塑料双列直插
TOSHIBA/东芝
MOS-HBM/半桥组件
MOSFET N 通道,金属氧化物、MOSFET N 通道,金属氧化物
手机:13669874411
P-DIT/塑料双列直插
630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
CANCA
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:
年份
M*金属半导体
*缘栅(MOSFET)
其他IC
FQP10N60CF
FRE*CALE/飞思卡尔
HF/高频(射频)放大
N沟道
手机:
型号:75NF75 Parameter Symbol Value Unit Drain-source Voltage (VGS = 0) VDS 75 V Drain-gate Voltage (RGS = 20 k) VDGR 75 V Gate- source Voltage VGS ± 20 V Drain Current (continuous) at TC = 25...
电话:0086-755-83223160
MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。 MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数