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N沟道场效应管

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源头工厂
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  • 品牌:

    SGS法意电子

  • 型号:

    STP75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 邹荣财

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 28580524

    手机:13728709180

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    K2645 2SK2645

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 彭志毫

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 82719303

    手机:13760241411

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    AO

  • 型号/规格:

    贴片 SOT-23 AO3400 (A09T) MOS场效应管 N沟道场效应管 SOT-23

  • 封装形式:

    SOP

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    其他

  • 型号/规格:

    2SK3868

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 方育辉(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 84472126

    手机:13202136378

  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 型号/规格:

    2N7002LT1G

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 詹欣龙

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-84486621

  • 类型:

    稳压IC

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 批号:

    2012+

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 封装:

    TO-220F

  • 属性:

    属性值

  • 肖维越

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82799300

    品牌/商标 ROHM 型号/规格 2SK3018 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 HEMT高电子迁移率 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 跨导 0(μS) *间...

    • 品牌/商标:

      NXP恩智浦

    • 型号/规格:

      BF862

    • *性:

      PNP型

    • 封装形式:

      贴片型

      品牌/商标 Fairchild 型号/规格 FDN337N SOT-23 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 5(V) 夹断电压 2(V) 低频跨导 10(μS) ...

      • 品牌:

        IR/国际整流器

      • 型号:

        IRFR2905Z

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        HI-REL/高*性

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 型号/规格:

        SSM4K27*

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 型号/规格:

        XP0487800LSO(XP4878)

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 品牌/商标:

        Panasonic/松下

      • 用途:

        S/开关

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 品牌/商标:

        DIOD*/美台

      • 型号/规格:

        2N7002

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        耗尽型

      • 用途:

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标:

        Hitachi/日立

      • 型号/规格:

        2SK2225

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        耗尽型

      • 用途:

        A/宽频带放大

      • 封装外形:

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 朱銮娥

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:0755-82539132

      • 品牌/商标:

        AOS/美国万代

      • 型号/规格:

        AO8822 P N沟道场效应管

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        MW/微波

      • 封装外形:

        LLCC/无引线陶瓷片载

      • 材料:

        GE-N-FET锗N沟道

      • 品牌:

        PHILIPS/飞利浦

      • 型号:

        BF998

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        A/宽频带放大

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        GaAS-FET砷化镓

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 型号/规格:

        2SK3767

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 封装外形:

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 型号/规格:

        CPC5602*R

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标:

        CLARE

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式:

        耗尽型

      • 属性:

        属性值

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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