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N沟道场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    FQPF5N60C

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 深圳市源彬电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82783306

    手机:13632800136

  • 品牌/商标:

    Sanyo/三洋

  • 型号/规格:

    2SK2113

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 型号/规格:

    6N80

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    包装

  • 功率特性:

    中功率

  • 频率特性:

    中频

  • 汕头华丰电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:13192369995

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    AO3400/3401

  • 材料:

    硅(Si)

  • 反向浪涌电压,Vrrm:

    30V

  • 封装:

    SOT-23

  • 功耗:

    *率

  • 品牌/商标:

    AO

  • 型号/规格:

    AO3402

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 功率:

    0

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    BSS123

  • 批号:

    NEW

  • 用途:

    电子产品

  • 品牌/商标:

    NXP

  • 封装:

    SOT-23

  • 品牌/商标:

    晶群

  • 型号/规格:

    GS8831

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    SI2300

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 批号:

    13+

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    SVF2N60

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 用途:

    DC/直流

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    NE34018

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ME

  • 型号/规格:

    MEM2302XG

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    M*F5457

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDN337N SOT-23

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CHOP/斩波、限幅

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压:

    5(V)

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    IRFP264PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 型号/规格:

    N沟道场效应管 2N7000A TO-92 60V/200MA/1.2欧*

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    VID/视频

  • 品牌/商标:

    其他

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    7N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    FDD8880

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 0:

    0

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    DIOD*

  • 型号/规格:

    2N7002-7-F

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装形式:

    贴片型

  • 型号/规格:

    2N7002

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 品牌/商标:

    长电

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP10NK60Z

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

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