N沟道场效应管 2N7000A TO-92 60V/200MA/1.2欧*

封装外形：
SP/*外形
型号/规格：
N沟道场效应管 2N7000A TO-92 60V/200MA/1.2欧*
材料：
N-FET硅N沟道
用途：
VID/视频
品牌/商标：
其他
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

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场效应管

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点，现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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