2SD1391
PANASONIC(松下)
TO-3P
普通型
直插式
散装
中功率
电话:0755-82533147
手机:13760331317
NE4210S01
NEC
SMT86
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:755-83013053
手机:13824333347
IRF9640PBF
VISHAY
TO-220
无铅*型
直插式
管件
*率
电话:0755-82734755
ANPEC/茂达
APM2308 APM2308A APM2308AAC APM2308A-TR
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
电话:86 0755 83013528
手机:13824333347
AOS/美国万代
AOD4132
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0086 0755 82797876
手机:13723406584
国产
AO3407
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
手机:15817468549
ROHM/罗姆
RUM003N02 T2L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MIN/微型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
FUJI/富士通
2SK962
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
N-FET硅N沟道
3(V)
手机:
ANPEC/茂达
APM2305 APM2305AC
结型(JFET)
P沟道
增强型
DC/直流
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
手机:13824333347
IR/国际整流器
IRFD110 IRFD110PBF FD110
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
SENSEFET电流敏感
手机:
IR系列TO-252
IRLR4343
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
0
0
手机:
FAIRCHILD/*童
FDB20AN06A0-NL FDB3682-NL
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
详情咨询客服
手机:
IRF6216TRPBF
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
属性值
手机:18938649262
TO-220-3 整包
FQPF5N60C
N-FET硅N沟道
MOS-ARR/陈列组件
FAIRCHILD/*童
MOSFET N 通道,金属氧化物
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
AOS/美国万代
AOD4132
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
AOS/美国万代
AO4803A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
SENSEFET电流敏感
电话:0755-83374996
TRU*EMI
TSF5N60M
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0755-83035360
FAIRCHILD/仙童
FQPF10N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
MES金属半导体
电话:0755-83681282
品牌/商标 ROHM 型号/规格 RUM003N02 应用范围 振荡 材料 硅(Si) *性 NPN型 击穿电压VCBO bz(V) 集电*允许电流ICM bz(A) 集电*耗散功率PCM bz(W) 截止频率fT bz(MHz) 结构 点接触型 封装形式 贴片型 封装材...
电话:0755-83014476
0N/安森美
NTD20N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称功率MOSFET,它是一种电压控制器件。根据载流子的性质,MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型,图形符号如图所示。根据导电结构,MOSFET有垂直导电结构与横向导电...