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MOSFET场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    2SD1391

  • 品牌/商标:

    PANASONIC(松下)

  • 封装形式:

    TO-3P

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    NE4210S01

  • 品牌/商标:

    NEC

  • 封装形式:

    SMT86

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    IRF9640PBF

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管件

  • 功率特征:

    *率

  • 品牌/商标:

    ANPEC/茂达

  • 型号/规格:

    APM2308 APM2308A APM2308AAC APM2308A-TR

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD4132

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    AO3407

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    ROHM/罗姆

  • 型号/规格:

    RUM003N02 T2L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK962

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    3(V)

  • 品牌/商标:

    ANPEC/茂达

  • 型号/规格:

    APM2305 APM2305AC

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFD110 IRFD110PBF FD110

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

  • 品牌/商标:

    IR系列TO-252

  • 型号/规格:

    IRLR4343

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 漏*电流:

    0

  • 低频噪声系数:

    0

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDB20AN06A0-NL FDB3682-NL

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 低频噪声系数:

    详情咨询客服

  • 洪继铭

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:

  • 型号/规格:

    IRF6216TRPBF

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

  • 封装外形:

    TO-220-3 整包

  • 型号/规格:

    FQPF5N60C

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD4132

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4803A

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

  • 蔡明科

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-83374996

  • 品牌/商标:

    TRU*EMI

  • 型号/规格:

    TSF5N60M

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQPF10N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 材料:

    MES金属半导体

    品牌/商标 ROHM 型号/规格 RUM003N02 应用范围 振荡 材料 硅(Si) *性 NPN型 击穿电压VCBO bz(V) 集电*允许电流ICM bz(A) 集电*耗散功率PCM bz(W) 截止频率fT bz(MHz) 结构 点接触型 封装形式 贴片型 封装材...

    • 杨翠苑

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-83014476

    • 品牌/商标:

      0N/安森美

    • 型号/规格:

      NTD20N06

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    MOSFET场效应管技术资料

    • 功率MOSFET场效应管的特点

      功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称功率MOSFET,它是一种电压控制器件。根据载流子的性质,MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型,图形符号如图所示。根据导电结构,MOSFET有垂直导电结构与横向导电...

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