IN4004
PHI
DIP
无铅*型
直插式
卷带编带包装
小功率
1.0A
电话:0755-83665775
手机:18923879878
FR107
MIC
DO-41
无铅*型
直插式
盒带编带包装
A
电话:0755-82570370
手机:13798432353
SS12-SS14
星海、东芝
塑料封装
无铅*型
贴片
A
V
其它
电话:0755-61329780
手机:13632894778
0N/安森美
MURS160
快恢复二*管
点接触型
硅(Si)
贴片型
塑料封装
*率
电话:0755-33068028
手机:13631662297
MBR10150FCT
长电
产品简介: 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半...
电话:0769-89917065
手机:13929253003
整流管
是
AGILENT
MUR120
砷(As)
电话:804
手机:13424205514
否
整流管
是
SR
*045F to K*110F
电话:0755-82538080
手机:13924581947
MBR2045 B2045
ON(安森美)
TO220
无铅环保型
直插式
单件包装
手机:13192369995
1N4004
MIC
DO-41
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
电话:0755-23919197
手机:13242013772
0.5A肖特基整流管B0530W-7-F SOD123
DIOD*美台
SOD123
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-82723971
手机:13590301695
M4
TOSHIBA(东芝)
DO-214AC
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
400V
1A
电话:0755-15919715553
手机:15919715553
整流管
是
MIC
1N5408
硅(Si)
1000
DO-27
10(℃)
电话:86 0755 82775671
手机:15019218466
整流管
是
DIOD*/美台
S2BA-13-F
硅(Si)
.
.
.
电话:86 0755 82518126
整流管
是
ON/安森美
MR756RLG
硅(Si)
+
+
6A,600V
电话:86 0755 61685160
整流管
MIC
HER604
硅(Si)
大功率
其他
直插型
点接触型
电话:86 0755 82814318
手机:13570824511
快恢复二*管
是
ON/安森美
MUR105,MUR110,MUR115,MUR120,MUR130,MUR140,MUR160,M
硅(Si)
原装现货
电源类
4A 600V
电话:86 755 6130677
整流管
否
TRR
M1
硅(Si)
50
DO-214AC
-50~150(℃)
电话:86 0755 27581614
整流管
是
MIC
1N4937
硅(Si)
1
1
1
电话:86 0755 82774277
整流管
是
TOSHIBA/东芝
M4/1N4004 M7/1N4007 M1/1N4001
硅(SI),硅(SI)
*
SMA
*(℃)
电话:0086 0755 82797876
手机:13723406584
75V
13+
硅(Si)
是
2
150MA
1N4148
整流管
电话:086 0755 83662725
手机:13632731073
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...