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整流管

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源头工厂
  • **:

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    SILICON

  • 型号/规格:

    1N4006

  • 材料:

    硅(Si)

  • 主要参数:

    IF=1A,VR=800V

  • 用途:

    LED,电源,充电器

  • 是否提供加工定制:

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    反向整流管

  • 型号/规格:

    ZP100A

  • 材料:

    硅(Si)

  • 加工定制:

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    SILICON

  • 型号/规格:

    6A4

  • 材料:

    硅(Si)

  • 主要参数:

    IF=6A,VR=400V

  • 用途:

    LED,电源,充电器

    应用范围:固态 品牌:FOTEK/阳明 产品系列:MFC 型号:MFC-55A 触点形式:常开型 额定电压:AC/DC200-240(V) 电流性质:交流 *护特征:敞开式 直流电阻:0(Ω) 吸合电流:50(A) 释放电流:1(A)温州阳明电...

      品牌:YANGJI 型号:ZP-p 结构:平面型 材料:硅 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 应用范围:整流上海椿树整流器有限公司 广州销售公司 *ZP(2CZ)螺旋式硅整流:ZP-5A ZP-10A ZP-20A ZP-30A ZP-50A ZP-100A ZP-200A ZP-3...

      • 产品类型:

        整流管

      • 是否进口:

      • 品牌/商标:

        MDD,其他,其他

      • 型号/规格:

        1N4007

      • 材料:

        硅(Si)

      • 反向浪涌电压,Vrrm:

        -

      • 封装:

        sod-123

      • 工作温度范围:

        -(℃)

      • 型号/规格:

        ZP200A

      • 品牌/商标:

        国产

      • 封装形式:

        金属包装

      • *类别:

        无铅*型

      • 安装方式:

        直插式

      • 包装方式:

        单件包装

      • 功率特性:

        大功率

      • 整流电流:

        A

      • 张小姐个体经营

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东广州
      • 电话:0755-83983585

      整流管行业资讯

      • Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管

        基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...

      • 整流管与稳压管的参数和选择原则

        电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结

      什么是整流管?

      • 整流管也就是二极管,一般通过的电流较大。利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
      • 整流管

      整流管技术资料

      • 同步整流管的主要参数/SR的阻断电压

        与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。  表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。  表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较  由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...

      • 同步整流管的主要参数/SR的体二极管恢复时间trr

        功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正

      • 同步整流管的主要参数/R的功耗

        SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示:  式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值;   RDS(on)——功率MOS管的通态电阻;   第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率;   Cin——等效输人电容; UG...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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