是
整流管
否
0N/安森美
MUR3040PT
其他
电话：86 0571 88009135
整流管
国产
ZP12000A500V
平面型
硅(Si)
功率型
金属封装
大功率
电话：0571-86994254
品牌/商标 上整 型号/规格 ZP(2CZ) 应用范围 电源 整流元件 二*管(排) 功率特性 小功率 频率特性 中频 交流输入电压 220（V） 直流输出电压 100-2000（V） 直流输出电流 5A-300A（A） 正向峰值电压 2000（V） 反向重...
电话：571-88009785
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件，可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器，以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比，SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知，用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且，对同一系列的SR，额定阻断电压越高，RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管，称为体二极管，其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns，希望皿体二极管的trr也和SBD一样，能控制在10ns左右。此外，体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗，可以用式（7－5）近似表示： 式中 项——正向通态损耗，其中IFrms为正向电流有效值； RDS（on）——功率MOS管的通态电阻； 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗，其中f为开关频率； Cin——等效输人电容； UG...
