欧司朗光电半导体公司(OsramOptoSemiconductors)将薄膜技术用于红外元件，开发出代850nm红外发射二极管(IRED)，在正常芯片尺寸下，该器件的总功率达到50mW，正向电流达到100mA。薄膜芯片可通过芯片顶部发射由器件内
半导体光发射二极管本质上就是一个pn结二极管，但各种发光二极管的具体结构却不尽相同。图给出了几种发光二极管的基本结构。 这些发光二极管的有源层通常是在体材料上形成的。尽管用于显示应用的LED都是发射可见光的，但是其结构却多种多样。pn结构的同质结发光二极管与异质结一样能发射...
半导体发光二极管以其优越的性能弥补了半导体激光器的不足囵，其主要特性为：（1）无阈值特性，在很低电流下就可以实现有效发光；（2）P-I特性好，容易进行信号调制，但是调制速率较低；（3）热稳定性好，输出功率随温度的变化较小；（4）工作寿命长，可靠性高
