Renesas-瑞萨电子采用下一代功率半导体为800伏直流AI数据中心架构供电
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基础设施发展。 随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百...
时间：2025/11/17 阅读：106 关键词：Renesas
TERADYNE-泰瑞达宣布推出ETS-800 D20双站点自动测试系统，满足功率半导体多样化测试需求
全球领先的自动测试设备和机器人供应商泰瑞达（NASDAQ:TER）宣布，推出面向功率半导体领域的高性能测试平台ETS-800的最新成员ETS-800 D20。ETS-800 D20，具备多功能性与成本效益优势，可同时满足大批量芯片测试以及多品种、小批量芯片测...
时间：2025/11/14 阅读：112 关键词：TERADYNE
SK Keyfoundry加速布局碳化硅赛道 剑指全球功率半导体市场
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry近日宣布加速推进碳化硅(SiC)功率半导体技术开发，通过战略收购与技术整合，计划在2026年上半年启动代工业务，抢占全球高压高效半导体应用市场先机。 这一战略布局始于对本土碳化硅领域标杆企业SK ...
分类：业界动态 时间：2025/11/12 阅读：10554
在全球能源需求因AI数据中心、电动汽车等高能耗应用激增的背景下，安森美半导体推出的垂直氮化镓（vGaN）功率半导体技术，正以前所未有的性能突破重新定义行业标准。这一基...
分类：业界要闻 时间：2025/11/11 阅读：40234 关键词：安森美
韩国 ChipScale 成功量产 650V 氮化镓功率半导体
韩国半导体公司 ChipScale 宣布取得重大突破，成功量产 650V 氮化镓功率半导体，成为韩国首家达成该技术量产的企业。 ChipScale 是一家位于京畿道的无晶圆厂半导体公司...
分类：业界动态 时间：2025/8/26 阅读：614 关键词：氮化镓功率半导体
东京商工研究所（TSR）发布信息称，开展功率半导体代工业务的日本企业 JS Foundry 于 7 月 14 日向东京地方法院申请破产手续，负债总额约为 161 亿日元。这一事件不仅对 JS Foundry 自身产生了重大影响，也反映出当前功率半导体行业面临...
分类：名企新闻 时间：2025/7/15 阅读：411
ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。 功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。R...
时间：2025/6/13 阅读：165 关键词：ROHM
Infineon - 英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》：GaN将在多个行业达到应用临界点，进一步提高能源效率
持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。 ...
时间：2025/3/18 阅读：104 关键词： 英飞凌
无晶圆厂环保科技半导体公司 CAMBRIDGE GAN DEVICES (CGD)获3,200万美元融资，推动全球功率半导体产业成长
剑桥大学衍生企业完成C轮融资，将扩大其在剑桥、台湾和欧洲业务版图。 英商剑桥氮化镓器件有限公司（CGD）开发高效能氮化镓（GaN）半导体，重塑功率电子产业的未来。 CGD的技术将助力电动车和数据中心提升能源效率，在全球功率半导...
时间：2025/3/4 阅读：282 关键词：电子
Infineon - 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
·凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长·利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率·300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）...
时间：2025/2/24 阅读：205 关键词：英飞凌
功率半导体，作为电子装置中电能转换与电路控制的核心部件，主要用于改变电子装置中的电压和频率、实现直流交流转换等功能。从分类角度来看，功率半导体可分为功率 IC 和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要涵盖二极管、晶闸管、晶...
基础电子 时间：2025/8/28 阅读：382
在当今的电能利用领域，功率变换器扮演着至关重要的角色，而其性能的优劣主要取决于核心部件 —— 功率半导体器件。常见的功率半导体器件类型包括 MOSFET、IGBT 和二极管。...
技术方案 时间：2025/7/31 阅读：988
在当今的电力电子领域，功率变换器作为电能利用的关键装置，其性能在很大程度上取决于核心的功率半导体器件。常见的功率半导体器件类型包括 MOSFET、IGBT 和二极管等。传统...
技术方案 时间：2025/7/30 阅读：790
在当今的电力电子领域，功率变换器作为电能利用的关键装置，其性能在很大程度上取决于核心的功率半导体器件。常见的功率半导体器件类型包括 MOSFET、IGBT 和二极管等。然而...
技术方案 时间：2025/7/29 阅读：697
在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了...
基础电子 时间：2025/7/10 阅读：351
功率半导体器件的性能优化对于整个系统的高效运行起着至关重要的作用。双脉冲测试（DPT）作为一种关键的测试方法，为功率器件的动态行为评估提供了精准的手段。本文将深入解析双脉冲测试的原理、应用以及泰克科技在这一领域的先进解决方...
基础电子 时间：2025/6/18 阅读：347
经常引用的 I 2 t 值描述了功率半导体承受浪涌电流事件的能力。然而，对当前形状的依赖性通常被忽视。本文简要介绍了一款浪涌电流测试仪，该测试仪具有任意输出电流波形和...
设计应用 时间：2024/9/30 阅读：992
最新的测试技术可以优化功率半导体和转换器行业的产品质量，而产品质量是竞争力的主要因素。生产各个阶段都需要进行测试以保证质量。本文深入探讨了如何经济、可靠地测试功率半导体。此外，当指定数据的通用信息转移到特定应用时，测试和...
基础电子 时间：2023/10/9 阅读：475
30A的高额定电流将助力简化和缩小家电应用中的逆变器系统 三菱电机集团近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半导体模块将于2023年2月发布，该模块具有30A的高额定电流，主要应用于家用电器逆变器系统。该紧凑型模块将使SLIMDIP系列能够满足...
新品速递 时间：2023/1/4 阅读：1364
CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查 表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前...
基础电子 时间：2021/1/20 阅读：501
