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新日本无线发布用于手机GPS的低噪声放大器GaAs MMIC

新日本无线(NewJapanRadio,NJR)已完成开发最适用于配备GPS功能手机的低噪声放大器GaAsMMIC——NJG1117HA8,并开始样品供货。近年来,GPS功能正逐渐成为手机及PDA(PersonalDigitalAssistant,

分类:新品快报 时间:2008/1/29 阅读:1156 关键词:低噪声放大器

新日本无线发布NJG1130KA1用于GPS的高增益低噪声放大器GaAs MMIC

新日本无线(NewJapanRadio,NJR)完成开发最适用于配备GPS(全球定位系统)功能的便携式终端的高增益低噪声放大器(Highgain/LowNoiseAmplifier)GaAsMMIC--NJG1130KA1。近年来,GPS功能已逐渐

分类:新品快报 时间:2008/1/25 阅读:1069 关键词:低噪声放大器

宽带低噪声增幅器GaAs MMIC适用于单波段信号接收

新日本无线已完成开发宽带低噪声增幅GaAsMMIC——NJG1131HA8,并开始样品供货。该产品最适用于内置单波段播放信号接收器的便携式终端。近年来,虽然手机等能够接收单波段播放信号的产品日益增多,但是,多数电子终端的信号接收灵敏度仍然...

分类:业界要闻 时间:2008/1/24 阅读:280

Hittite Microwave发布两款无源GaAs MESFET I/Q混频器

HittiteMicrowave公司日前发布两款用于频率范围为3~7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAsMESFETI/Q混频器。HMC620LC4是一个可在3~7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB

分类:新品快报 时间:2008/1/3 阅读:880 关键词:Hittite

Hittite发布3.5~7GHz GaAs MMIC低噪声放大器HMC392LH5

HittiteMicrowave公司发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMTGaAsMMIC低噪声放大器。HMC392LH5是一个密封的SMTLNA,可提供15dB增益,而在3.5~7GHz频率范围内噪声

分类:新品快报 时间:2008/1/3 阅读:315 关键词:Hittite低噪声放大器

统计工艺控制在GaAs集成电路生产中的应用

统计工艺控制(SPC)是把基本的统计概念运用到生产过程中收集的单个数据点和系列数据点上的一种统计分析和工艺控制手段。运用统计分析,可以根据工艺以往的输出记录迅速地判断出一个数据点是否处在控制状态。由于SPC可减少变异和缺陷,因此...

分类:业界动态 时间:2008/1/2 阅读:801 关键词:集成电路

两款无源GaAs MESFET I/Q混频器(Hittite)

HittiteMicrowave公司日前发布两款用于频率范围为3~7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAsMESFETI/Q混频器。HMC620LC4是一个可在3~7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB

分类:新品快报 时间:2008/1/2 阅读:304 关键词:Hittite混频器

Hittite发布3~7GHz无源GaAs MESFET I/Q混频器

HittiteMicrowave公司日前发布两款用于频率范围为3~7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAsMESFETI/Q混频器。HMC620LC4是一个可在3~7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB

分类:新品快报 时间:2008/1/2 阅读:246 关键词:Hittite混频器

Hittite推出3.5~7GHz GaAs低噪声放大器

为通信和军事市场提供基于MMIC的完整解决方案的提供商Hittite微波公司,最近发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMTGaAsMMIC低噪声放大器。HMC392LH5是一个密封的SMTLNA,可

分类:新品快报 时间:2007/12/28 阅读:212 关键词:Hittite低噪声放大器

Hittite发布两款3~7GHz无源GaAs MESFET I/Q混频器

HittiteMicrowave公司日前发布两款用于频率范围为3~7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAsMESFETI/Q混频器。HMC620LC4是一个可在3~7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB

分类:新品快报 时间:2007/12/27 阅读:684 关键词:Hittite混频器

从容应对硅基PA竞争,GaAs将与GaN二分天下

由于快速的电子迁移率特别适合于高频高速信号的处理,目前大部分手机中的功放(PA)都采用GaAs来制造。不过这种材料居高不下的成本也一直为业界所诟病。最理想的办法是在12英寸晶圆上采用CMOS工艺来大规模量产这种射频前端器件,而研究人员...

分类:行业趋势 时间:2007/12/20 阅读:306

飞思卡尔将GaAs业务卖给Skyworks

飞思卡尔半导体公司答应将其GaAsPA业务卖给业界伙伴射频器件制造商SkyworksSolutions。飞思卡尔的一位发言人声称,该公司是在去年6月被一家由TheBlackstoneGroupandTheCarlyleGroup领导下的私人股本财团

分类:名企新闻 时间:2007/11/28 阅读:271 关键词:Skyworks

Jazz推出0.18微米平台,取消独立GaAs前端

近日在德国慕尼黑举行的微波周上,美国代工服务提供商Jazz半导体公司宣布其0.18微米平台开始供货。该公司表示,利用这种平台,客户能够把整个RF前端集成到它们的芯片之中,取消了昂贵的独立GaAs前端。Jazz公司的销售和市场副总裁ChuckFox...

分类:名企新闻 时间:2007/10/17 阅读:259

NEC电子推出业界最小的小型薄型砷化镓(GaAs)开关IC

NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发,并将于即日起开始发售该产品的样品。新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统

分类:新品快报 时间:2007/8/31 阅读:168 关键词:NEC

NEC电子上市1.5mm见方的移动WiMAX用GaAs开关IC

NEC电子上市了移动WiMAX系统中数据收发切换及天线切换用小型开关IC“μPG2176T5N”。封装采用1.5mm×1.5mm×0.37mm的6引脚TSON。与该公司原产品相比,安装面积缩小了25%,厚度减小了50%。制造中使用了GaAs技术。此

分类:新品快报 时间:2007/8/14 阅读:1018 关键词:WiMAX