中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1.31微米波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.33微米的室温连续激射，其阈值
Hittite推出新款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益模块放大器HMC599ST9E
HittiteMicrowaveCorporation推出新款SMT封装GaAspHEMTMMIC增益模块放大器HMC599ST9E，适合用于50——960MHz宽带和CATV应用。HMC599ST9E基于GaAspHEMT，宽动态范围增益模块MM
分类：新品快报 时间：2008/12/8 阅读：337 关键词：Hittite
Mimix出了QFN封装的GaAsMMIC线性功率放大器XP1050-QJ
Mimix宽带公司(MimixBroadband)日前推出了QFN封装的GaAsMMIC线性功率放大器XP1050-QJ,具有49dBmOIP3和14.5dB小信号增益.功率放大器XP1050-QJ的频率范围从7.1GHz到8.5GHz,同时还集成
分类：名企新闻 时间：2008/12/8 阅读：352 关键词：功率放大器
尽管还存在不少问题，美国的GaAs晶圆厂已经开始享受使用激光划片系统更换以前的划线-折断设备所带来的好处了。而那些还没有更换使用激光划片工艺的公司能从TriQuint半导体公司的经验中受益。化合物半导体制造商倾向于在他们引进新工艺和...
时间：2008/10/25 阅读：348
市场调研机构StrategyAnalytics认为，光电池将会是GaAs衬底(GaAsbulksubstrates)供应商下一个增长最迅速、前途最光明的销售市场。这家市场调研机构认为，光电池市场对半导电GaAs衬底的潜在需求从2008年到2012年
分类：行业趋势 时间：2008/10/8 阅读：1389 关键词：光电池
据市场调研公司StrategyAnalytics，2007年砷化镓(GaAs)器件市场达到36亿美元，比2006年增长17%。StrategyAnalytics表示，的三家GaAs芯片供应商——RFMicroDevicesInc.(RFMD)、
分类：业界动态 时间：2008/9/16 阅读：562
全球研究与咨询公司StrategyAnalytics日前发表了题为“功率放大器技术趋势：2008-2013”的报告，指出开发用于手机的CMOS功率放大器的厂商越来越多。该报告分析了20多家厂商的开发活动，这些厂商的努力将导致简化的多频带、多标准手机
全球研究与咨询公司StrategyAnalytics日前发表了题为“功率放大器技术趋势：2008-2013”的报告，指出开发用于手机的CMOS功率放大器的厂商越来越多。该报告分析了20多家厂商的开发活动，这些厂商的努力将导致简化的多频带、多标准手机
Hittite推出SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器
HittiteMicrowaveCorporation近日推出两款SMT封装GaAspHEMTMMIC增益单元放大器，适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带，CATV，蜂窝/3G，WiMAX/4G以及固定无线应用。HMC636ST89E和HMC63
时间：2008/7/25 阅读：294 关键词：Hittite
Rudolph多套NSX检测设备在台湾稳懋成功安装 为GaAs晶圆制造特定需求提供服务
RudolphTechnologies日前宣布台湾微波集成电路晶圆代工厂稳懋半导体（WINSemiconductors）已经成功安装七套NSXSeries检测设备，并采用了数套Discover(TM)缺陷分析及良率管理软件。WIN选择NSX系列设备
分类：名企新闻 时间：2008/4/17 阅读：1277 关键词：检测设备
IMEC声称，利用锗基板上面的GaAs太阳能电池，使太阳能电池转化效率实现了重大突破
比利时研究机构IMEC声称，利用锗基板上面的GaAs太阳能电池，使太阳能电池转化效率实现了重大突破。IMEC表示，利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池，转化率达到了24.7%的纪录。电池是根据ESA-IMAGER项目制造的。比利时材料技术集团
分类：业界要闻 时间：2008/3/3 阅读：937
Hittite Microwave公司发布一款用于频率范围为3.5～7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMT GaAs MMIC低噪声放大器
HittiteMicrowave公司发布一款用于频率范围为3.5～7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMTGaAsMMIC低噪声放大器。HMC392LH5是一个密封的SMTLNA，可提供15dB增益，而在3.5～7GHz频率范围内噪声
比利时研究机构IMEC声称，利用锗基板上面的GaAs太阳能电池，使太阳能电池转化效率实现了重大突破。IMEC表示，利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池，转化率达到了24.7%的纪录。电池是根据ESA-IMAGER项目制造的。比利时材料技术集团
分类：业界要闻 时间：2008/2/28 阅读：145 关键词：太阳能
IMEC在Ge衬底上制成GaAs太阳能电池 转换效率高达24.7％
IMEC实现了在锗衬底上制造单结砷化镓（GaAs）太阳能电池，转换效率创记录地达到24.7％。该转换效率由美国国家可再生能源实验室（NREL）测量及认证。GaAs太阳能电池可用于卫星太阳能面板和地表太阳能聚集器。
分类：业界要闻 时间：2008/2/27 阅读：845 关键词：太阳能
AIXTRON助力韩国光伏产业发展 提供首款GaAs MOCVD设备
AIXTRON日前宣布获得韩国先进纳米元件制造中心（KANC）的订单，向其提供一套12x4寸AIX2600G3系统，用于太阳能电池制造业。该设备将被安装在KANC位于GwanggyoTechnoValley的洁净室内，预计在今年上半年发货。这也是A
分类：名企新闻 时间：2008/2/22 阅读：999
