中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1.31微米波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展,这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.33微米的室温连续激射,其阈值
Hittite推出新款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益模块放大器HMC599ST9E
HittiteMicrowaveCorporation推出新款SMT封装GaAspHEMTMMIC增益模块放大器HMC599ST9E,适合用于50——960MHz宽带和CATV应用。HMC599ST9E基于GaAspHEMT,宽动态范围增益模块MM
分类:新品快报 时间:2008/12/8 阅读:337 关键词:Hittite
Mimix出了QFN封装的GaAsMMIC线性功率放大器XP1050-QJ
Mimix宽带公司(MimixBroadband)日前推出了QFN封装的GaAsMMIC线性功率放大器XP1050-QJ,具有49dBmOIP3和14.5dB小信号增益.功率放大器XP1050-QJ的频率范围从7.1GHz到8.5GHz,同时还集成
分类:名企新闻 时间:2008/12/8 阅读:352 关键词:功率放大器
尽管还存在不少问题,美国的GaAs晶圆厂已经开始享受使用激光划片系统更换以前的划线-折断设备所带来的好处了。而那些还没有更换使用激光划片工艺的公司能从TriQuint半导体公司的经验中受益。化合物半导体制造商倾向于在他们引进新工艺和...
时间:2008/10/25 阅读:348
市场调研机构StrategyAnalytics认为,光电池将会是GaAs衬底(GaAsbulksubstrates)供应商下一个增长最迅速、前途最光明的销售市场。这家市场调研机构认为,光电池市场对半导电GaAs衬底的潜在需求从2008年到2012年
分类:行业趋势 时间:2008/10/8 阅读:1389 关键词:光电池
据市场调研公司StrategyAnalytics,2007年砷化镓(GaAs)器件市场达到36亿美元,比2006年增长17%。StrategyAnalytics表示,的三家GaAs芯片供应商——RFMicroDevicesInc.(RFMD)、
分类:业界动态 时间:2008/9/16 阅读:562
全球研究与咨询公司StrategyAnalytics日前发表了题为“功率放大器技术趋势:2008-2013”的报告,指出开发用于手机的CMOS功率放大器的厂商越来越多。该报告分析了20多家厂商的开发活动,这些厂商的努力将导致简化的多频带、多标准手机
全球研究与咨询公司StrategyAnalytics日前发表了题为“功率放大器技术趋势:2008-2013”的报告,指出开发用于手机的CMOS功率放大器的厂商越来越多。该报告分析了20多家厂商的开发活动,这些厂商的努力将导致简化的多频带、多标准手机
Hittite推出SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器
HittiteMicrowaveCorporation近日推出两款SMT封装GaAspHEMTMMIC增益单元放大器,适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带,CATV,蜂窝/3G,WiMAX/4G以及固定无线应用。HMC636ST89E和HMC63
时间:2008/7/25 阅读:294 关键词:Hittite
Rudolph多套NSX检测设备在台湾稳懋成功安装 为GaAs晶圆制造特定需求提供服务
RudolphTechnologies日前宣布台湾微波集成电路晶圆代工厂稳懋半导体(WINSemiconductors)已经成功安装七套NSXSeries检测设备,并采用了数套Discover(TM)缺陷分析及良率管理软件。WIN选择NSX系列设备
分类:名企新闻 时间:2008/4/17 阅读:1277 关键词:检测设备
IMEC声称,利用锗基板上面的GaAs太阳能电池,使太阳能电池转化效率实现了重大突破
比利时研究机构IMEC声称,利用锗基板上面的GaAs太阳能电池,使太阳能电池转化效率实现了重大突破。IMEC表示,利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池,转化率达到了24.7%的纪录。电池是根据ESA-IMAGER项目制造的。比利时材料技术集团
分类:业界要闻 时间:2008/3/3 阅读:937
Hittite Microwave公司发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMT GaAs MMIC低噪声放大器
HittiteMicrowave公司发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMTGaAsMMIC低噪声放大器。HMC392LH5是一个密封的SMTLNA,可提供15dB增益,而在3.5~7GHz频率范围内噪声
比利时研究机构IMEC声称,利用锗基板上面的GaAs太阳能电池,使太阳能电池转化效率实现了重大突破。IMEC表示,利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池,转化率达到了24.7%的纪录。电池是根据ESA-IMAGER项目制造的。比利时材料技术集团
分类:业界要闻 时间:2008/2/28 阅读:145 关键词:太阳能
IMEC在Ge衬底上制成GaAs太阳能电池 转换效率高达24.7%
IMEC实现了在锗衬底上制造单结砷化镓(GaAs)太阳能电池,转换效率创记录地达到24.7%。该转换效率由美国国家可再生能源实验室(NREL)测量及认证。GaAs太阳能电池可用于卫星太阳能面板和地表太阳能聚集器。
分类:业界要闻 时间:2008/2/27 阅读:845 关键词:太阳能
AIXTRON助力韩国光伏产业发展 提供首款GaAs MOCVD设备
AIXTRON日前宣布获得韩国先进纳米元件制造中心(KANC)的订单,向其提供一套12x4寸AIX2600G3系统,用于太阳能电池制造业。该设备将被安装在KANC位于GwanggyoTechnoValley的洁净室内,预计在今年上半年发货。这也是A
分类:名企新闻 时间:2008/2/22 阅读:999