NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备（terminal）的小型.薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系
分类：名企新闻 时间：2007/8/9 阅读：1411 关键词：NEC
为了进一步推动在化合物半导体领域的发展，NEC电子近日公布了在该领域的发展战略及相应的措施。NEC电子的化合物半导体业务主要包括以GaAs等化合物及硅为材料的光半导体及微波半导体。NEC电子此次公布的化合物半导体业务发展主要将发展重...
新日本无线配备旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1128HB6开始样品供货
新日本无线已研发成功NJG1128HB6，并开始样品供货。NJG1128HB6是配备旁通电路的低噪声放大器GaAsMMIC，最适用于450MHz频带CDMA手机。采用CMOS技术实现高频电路的CMOSRFIC很难内置低噪声放大器，因而需要外置高性能
分类：新品快报 时间：2007/6/19 阅读：771 关键词：低噪声放大器
Hittite发布两款6～34GHz GaAs MMIC混频器
HittiteMicrowaveCorporation近日新推出两款GaAsMMIC混频器，适用于频率范围为6～34GHz的点对点、点对多点之无线、VSAT、电信、测试仪器、雷达、ECM及航空领域。HMC144LH5为一款采用符合RoHS规范的陶瓷
RFMD采用GaAs pHEMT工艺制造射频开关RF1200和RF1450
RFMD近日在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其的两款射频开关RF1200和RF1450。RF1200和RF1450利用RFMD业界的GaAs生产工艺，并将进一步
分类：新品快报 时间：2007/1/31 阅读：590 关键词：射频开关
RFMD射频开关RF1200和RF1450采用GaAspHEMT工艺制造
RFMD近日在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其的两款射频开关RF1200和RF1450。RF1200和RF1450利用RFMD业界的GaAs生产工艺，并将进一步
分类：新品快报 时间：2007/1/31 阅读：367 关键词：射频开关
WJ通讯推出适用于WCDMA基础结构应用的全4W 28V InGaP HBT(GaAs)功率放大器
无线基础结构及RFID识别器市场的RF解决方案设计及供应商WJCommunications,Inc.(NASDAQ-WJCI)日前推出AP622，一个适用于WCDMA通讯基站应用的4W功率放大器。这个新产品基于28VInGaP/GaAsHBTA
旭化成电子新建成的化合物半导体工厂现已投入量产。主要生产采用GaAs的霍尔元件，准备扩大在手机、数字家电和汽车领域的销售。今后准备使该厂发展成化合物半导体业务的核心基地。除GaAs外，还产生采用InAs和InSb的霍尔元件。无尘操作室标...
分类：名企新闻 时间：2007/1/8 阅读：1360
WJ射频功率放大器采用28V InGaP/GaAs HBT工艺制造
WJ通讯公司近日推出下一代射频功率放大器AP601、AP602和AP603，它是业界采用28VInGaP/GaAsHBT工艺制造的首款产品，在800-2,200MHz的频率范围内可达到较好的性能和线性度。适合移动电话基站、功率放大器电路和中继站等无
分类：名企新闻 时间：2006/11/22 阅读：1029 关键词：功率放大器
WJ通讯公司是从事射频(RF)产品和解决方案的设计公司和供应商，它的产品用于无线基础设施和射频识别(RFID)，近日宣布推出新系列的下一代射频功率放大器组件，它使用产业界中个28VInGaP/GaAsHBT工艺技术，在800-2,200MHz的
分类：新品快报 时间：2006/11/21 阅读：205 关键词：功率放大器
村田制作所计划提高带焊球的GaAsIC量产规模。截至2006年10月作为CDMA手机功率检波器，面向该公司通信模块部门，村田制作所已经以月产100万个的规模投入生产。今后准备将其应用于其他领域，并且准备通过扩大产品线，比如作为高频开关、低...
分类：名企新闻 时间：2006/11/13 阅读：822
Hittite新推9款GaAs MMIC接收器，频率范围7-28GHz
HittiteMicrowave近日新推出9款涵盖了7GHz-28GHz频率范围的GaAsMMIC接收器。其首款微波接收器MMIC集成了低噪声放大器(LNA)，I/Q混频器和LO放大器/乘法器，可提供结构紧凑的高性能解决方案。据介绍，HMC570、
分类：新品快报 时间：2006/11/9 阅读：882 关键词：Hittite
据市场调研公司StrategyAnalytics的一项研究报告，Kopin、HitachiCable和IQE是2005年三家的外延材料(epitaxialmaterial)商业供应商，当年对于硅GaAs外延基板的商业需求增长了44%。该报告预测
分类：业界要闻 时间：2006/8/21 阅读：669 关键词：供应商
M/A-COM公司推出两款符合RoHS规范的开关产品MASW-007587和MASW-007588，适用于WiMAX和MESH等需要大功率、低插入损耗及高隔离度的应用。MASW-007587dpdt开关可工作在DC至4GHz频率范围内，P1dB为4
分类：业界要闻 时间：2006/5/31 阅读：171 关键词：WiMAX
冲电气工业株式会社(OKI)日前开发出能实现世界漏极(drain)效率的10W级无线通信用功率GaAsMESFET新品——KGF1934。OKI的功率GaAsMESFET具有能承受12V电源电压下工作的漏极耐压，而且采用细微化栅极(gate)、
分类：新品快报 时间：2005/4/27 阅读：734 关键词：OKI
