随着新能源汽车的需求增加，市场对碳化硅的关注度逐渐提高，而与碳化硅同为宽禁带半导体的氮化镓也同样受到企业青睐。 2024年1月，瑞萨电子收购估值约为3.5亿美元的全球...
分类：业界动态 时间：2024/2/19 阅读：246 关键词：碳化硅
NXP恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术， 进一步缩小5G无线产品尺寸
·全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元，部署5G基站更快、更轻松 ·简化设计和制造，同时保证性能 荷兰埃因霍温，2023年6月6日（全球新闻资讯）——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯...
时间：2024/1/22 阅读：84 关键词：电子
在能源意识日益增强的世界中，对具有卓越效率和功率密度的高功率应用的需求正在蓬勃发展。随着硅接近其物理极限，半导体行业正在探索宽带隙 (WBG) 材料，特别是碳化硅 (SiC...
分类：业界动态 时间：2023/11/6 阅读：554 关键词：高功率器件
武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体有限公司签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。 该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可...
分类：名企新闻 时间：2023/8/28 阅读：385 关键词：长飞先进半导体
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱...
分类：新品快报 时间：2023/8/25 阅读：498 关键词：无刷电机
ONSEMI - 博格华纳将集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模块中，用于主驱逆变器解决方案，以提高电动汽车的性能
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格...
时间：2023/8/15 阅读：242 关键词：安森美
长飞先进半导体拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤发布公告称，公司子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。 本次对外投资总额约...
分类：名企新闻 时间：2023/6/28 阅读：370 关键词：长飞先进半导体
Onsemi - 安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）...
时间：2023/6/19 阅读：272 关键词：电子
NXP - 恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术， 进一步缩小5G无线产品尺寸
·全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元，部署5G基站更快、更轻松 ·简化设计和制造，同时保证性能 荷兰埃因霍温，2023年6月6日（全球新闻资讯）——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯...
时间：2023/6/14 阅读：387 关键词：电子
近期，特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息，也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽车中的地位，产生了怀疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真...
电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...
设计应用 时间：2024/5/8 阅读：505
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
设计应用 时间：2023/9/27 阅读：365
使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器，用于工业市场的高效...
技术方案 时间：2023/8/15 阅读：303
半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示，尽管由于疫情造成的全球供应链限制，过去几年新车销量总体下降，但同期汽车内半导体销售收入却有所上升。汽车中半导体价值的增...
设计应用 时间：2023/8/1 阅读：652
为了开发集成栅极驱动器，一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于 GaN 的栅极驱动器的单片集成。这种集成消除了额外的处理步...
设计应用 时间：2023/7/14 阅读：1621
图 1 显示了电动汽车牵引逆变器的简化框图。该图中的红色方块代表栅极驱动器及其驱动的相关功率级。该应用中栅极驱动器的一些关键功能包括： 提供隔离。在 HV 侧，栅极驱动器可能会驱动参考 800V 直流总线电压的SiC器件。另一方面，由...
基础电子 时间：2023/6/30 阅读：834
Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效，推断出可以估计 1 ppm 故障率寿命的寿命曲线。动态导通电阻 (R DS(on) ) 作为 GaN 在开关应用中可能的故障模式而被广泛讨论，并且可以被视为材料缺陷的征兆。Inn...
设计应用 时间：2023/5/25 阅读：272
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：498
Toshiba - 东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用（如工业设备的可编程逻辑控制器）中使用的感性负载的驱动。高边开关（8通道）“TPD2015F...
新品速递 时间：2023/3/10 阅读：487
ST - 意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT
意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。 工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、...
新品速递 时间：2023/3/10 阅读：501
