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为手机存储扩容 西部数据推96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘

西部数据正式推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD)-西部数据iNAND MC EU321,旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采...

分类:新品快报 时间:2018/10/13 阅读:1702 关键词:闪存盘手机存储

面向高端手机 西部数据发布全新嵌入式闪存盘

西部数据公司推出了96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD)-西部数据iNAND MC EU321,旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频...

分类:新品快报 时间:2018/10/10 阅读:1320 关键词:嵌入式闪存盘西部数据

闪迪推出全新嵌入式闪存驱动器,供给中国的OEM,容量高达64GB

全新卓越的闪迪嵌入式闪存驱动器使智能手机能够实现1Gb每秒或更高的即时数据传输速度及RAW格式图像捕捉闪迪公司(SanDisk)针对中国市场推出iNAND 7132存储解决方案,它是...

分类:新品快报 时间:2018/8/6 阅读:620 关键词:嵌入式驱动器闪迪

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

华虹半导体有限公司 (“华虹半导体”或“公司”,连同其附属公司,统称“集团”,股份代号:1347.HK) 今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。   华虹半导体在代...

分类:名企新闻 时间:2018/3/10 阅读:513 关键词:华虹半导体闪存

Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布 其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获

2015年5月15日,全球的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司)通过其子公司SiliconStorageTechnology(SST)与先进半导体制造技术

分类:名企新闻 时间:2015/5/27 阅读:526 关键词:Silicon

宏力携手同方量产0.13微米微缩版嵌入式闪存

中国上海,2012年10月29日-提供卓越差异化技术的晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)与国内主要的智能卡设计公司之一,北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)共同宣布,同方微电子采用宏...

分类:业界要闻 时间:2012/10/30 阅读:734

0.13微米嵌入式闪存成功量产

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业企业之一,宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SSTSupeRFlash上已经量产的自对准分栅闪

分类:名企新闻 时间:2010/9/26 阅读:242

宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业企业之一,宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SSTSuperFlash上已经量产的自对准分栅闪

分类:名企新闻 时间:2010/9/26 阅读:841 关键词:半导体

TSMC发布0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权

TSMC27日宣布推出0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权,是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权,适用于广泛的车用电子产品。TSMC0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25微米嵌入式闪存硅知识产权相较,减少了百分之二

分类:名企新闻 时间:2010/5/28 阅读:885 关键词:TSMC

ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺

意法半导体发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作。55nm嵌入式闪存技

分类:业界要闻 时间:2010/4/1 阅读:1206

英飞凌、TSMC扩大合作,携手65纳米嵌入式闪存工艺

英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司近日共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议,英飞凌与台积电将携手开发65纳...

分类:业界要闻 时间:2009/11/10 阅读:1643 关键词:TSMC英飞凌

英飞凌与TSMC扩展技术与生产合作协议 携手开发汽车和芯片卡应用所需的65纳米嵌入式闪存工艺

英飞凌科技股份公司(FSE股票代码:IFX/OTCQX股票代码:IFNNY)与台湾积体电路制造股份有限公司(TWSE股票代码:2330;NYSE股票代码:TSM)共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的6

分类:业界要闻 时间:2009/11/6 阅读:1338 关键词:TSMC英飞凌

抢攻汽车和芯片卡应用,英飞凌与TSMC携手65纳米嵌入式闪存开发

英飞凌科技与台积电(TSMC)日前共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)制造工艺.根据该项协议,英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术,用于生产符合汽车行业严格...

分类:新品快报 时间:2009/11/6 阅读:3463 关键词:TSMC英飞凌

业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器

日前,意法半导体(ST)宣布在基于ARMCortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破,推出全球业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。目前几乎没有几家公司研制出采用这种制程的任何架构的微控制器,但意法半导体利用现有安...

分类:新品快报 时间:2009/10/28 阅读:255 关键词:微控制器

宏力发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业企业之一,发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权...

分类:名企新闻 时间:2009/8/10 阅读:748