嵌入式闪存

嵌入式闪存资讯

Kioxia提供最新一代UFS Ver.4.0嵌入式闪存器件样品

内存解决方案提供商Kioxia Corporation今天宣布,该公司已开始提供最新一代通用闪存(2)(UFS) Ver. 4.0版嵌入式闪存器件的样品(1)。新产品支持256GB、512GB和1TB容量,非常...

分类:新品快报 时间:2024/4/25 阅读:130 关键词:嵌入式闪存器

格芯和 Microchip 宣布Microchip 28纳米SuperFlash 嵌入式闪存 解决方案投产

格芯(GlobalFoundries)与Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)及其旗下子公司Silicon Storage Technology(SST)今日宣布,采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。   在实施SST...

时间:2023/11/6 阅读:101 关键词:电子

Kioxia推出下一代兼容e-MMC 5.1标准的嵌入式闪存产品

全球内存解决方案领先企业Kioxia Corporation今天宣布,推出适用于消费类应用的嵌入式高性能全新闪存产品样品[1] ,此产品兼容5.1版JEDEC e-MMC[2]。该新产品将公司较新版...

分类:新品快报 时间:2023/9/28 阅读:285 关键词:嵌入式闪存

铠侠推出第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备

全新的256GB、512GB和1TB闪存设备允许智能手机和移动应用程序充分利用5G网络的高速率 为了继续推动通用闪存(1)(UFS)技术的发展,全球存储器解决方案的领导者铠侠株式...

分类:新品快报 时间:2023/6/16 阅读:543 关键词:嵌入式闪存

KIOXIA率先推出支持MIPI M-PHY v5.0的下一代UFS嵌入式闪存设备

KIOXIA美国公司宣布推出业界首款支持MIPIM-PHYv5.04的通用闪存(UFS)3嵌入式闪存设备样品。新产品系列采用了该公司的BiCSFLASH3D闪存,有三种容量:128GB、256GB和512GB。...

分类:新品快报 时间:2022/3/1 阅读:2730

铠侠推出新型3.1版UFS嵌入式闪存设备

基于第五代BiCSFLASH3D闪存打造;为要求严苛的应用提供更轻薄的外观和更快的读/写速度 全球存储器解决方案领导者铠侠株式会社(KioxiaCorporation)今天宣布推出新一代25...

分类:新品快报 时间:2021/8/18 阅读:2612

X-FAB增强其180nm高压CMOS技术产品组合中的车用嵌入式闪存产品

公认的卓越的模拟/混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,已为其XP018高压(HV)车用产品工艺推出全新闪存功能。这款新的闪存IP利用X-FAB得到广泛验证的氮化硅氧化物(SONOS)技术——该...

分类:名企新闻 时间:2021/5/14 阅读:670 关键词:X-FAB

Hua Hong 华虹半导体推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)今日宣布, 推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大...

分类:新品快报 时间:2021/1/28 阅读:559 关键词:华虹

华虹半导体推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台 助力大容量MCU解决方案

的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司近日宣布, 推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺平台作为华虹半...

分类:新品快报 时间:2020/8/31 阅读:1211 关键词:华虹嵌入式

HHGrace华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

全球的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。  华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域,通...

分类:名企新闻 时间:2019/7/8 阅读:1729 关键词:华虹半导体闪存

嵌入式闪存技术

嵌入式闪存技术认知误区

大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存,其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中,并且是非易失性存储器技术的典范,但关于嵌入式闪存技术仍有一些错误的观念,这...

基础电子 时间:2020/1/9 阅读:556

西部数据公司推出新款UFS 3.0 嵌入式闪存盘助力实现5G移动性

西部数据公司发布新款嵌入式闪存盘,旨在从速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及移动设备的功能,丰富5G时代环境下智能手机用户的移动体验。iNAND MC EU511采用公司先进的96层3D NAND技术,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范。性能优越...

新品速递 时间:2019/2/25 阅读:862

关于嵌入式闪存的一些错误观念

多年来,汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知,汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元,而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的...

设计应用 时间:2017/5/4 阅读:1007

Spansion:e.MMC缘何完胜SLC NAND成为嵌入式闪存新选择?

过去几年间,智能手机和平板电脑的迅猛发展,引发了电子产品对存储硬件的小型化、大容量等需求。而日益发展的多媒体播放设备、高清摄像头、车载信息娱乐系统、工业/医疗设...

设计应用 时间:2014/12/4 阅读:2174

64GB iNAND嵌入式闪存驱动器的问世

近日,中国–全球领先闪存供货商SanDisk(闪迪)[NASDAQ:SNDK]在西班牙巴塞罗那移动通信世界大会推出了全新SanDiskiNAND?嵌入式闪存驱动器(EmbeddedFlashDrives,EFD),支持e.MMC4.4规格。这些驱动

新品速递 时间:2011/9/3 阅读:2614

英飞凌32位微处理器集成1M嵌入式闪存,成本削减40%

面向高性能、低成本型工业控制应用,英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布推出基于TriCore架构的全新TC116x系列32位微处理器的两款样品。TC1161和TC1162微处理器集成了高性能66MHzCPU以及1M的嵌入式闪存

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:1290

ST发布低成本嵌入式闪存微控制器STR910F

ST发布通用闪存微控制器系列:STR910F,组合了以太网连接功能、ARM9E处理器核与大容量嵌入式SRAM及闪存。STR910F系列为基于ARM的闪存MCU设置了新的性/价与连接功能标准,为...

新品速递 时间:2007/12/6 阅读:1994

三星发表首款紧凑型嵌入式闪存样本

三星电子日前宣布已开始向移动产品制造商提供“MoviNAND”闪存模块样本,这套解决方案主要是将常规的NAND闪存、MultiMediaCard v.4 (MMC) 控制器和板载固件整合在一起,从...

新品速递 时间:2007/12/6 阅读:1572

Spansion嵌入式闪存为手机提供全新安全防护

Spansion公司日前宣布,它计划通过据称是业界首个直接集成在嵌入式闪存子系统内部的安全技术,为无线手机提供全新的安全保护。利用Spansion的安全闪存子系统,手机制造商能够更有效地防御病毒和攻击,同时能够支持新的功能以及为运营商提...

基础电子 时间:2007/11/28 阅读:1460

英飞凌32位微处理器集成1M嵌入式闪存,成本削减40%..

面向高性能、低成本型工业控制应用,英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布推出基于TriCore架构的全新TC116x系列32位微处理器的两款样品。TC1161和TC1162微处理器集成了高性能66MHzCPU以及1M的嵌入式闪存

新品速递 时间:2007/11/23 阅读:1214

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