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英联电子多通道模拟开关实现信号的复用切换及电源分配

英联电子(Unionsemiconductor,Inc.)近日连续推出三款新品:面向便携设备I/O通讯,存储控制,通讯信号切换的一个四通道模拟开关UM3670;是面向便携设备音频,电源,通讯信号切换的一个双通道模拟开关UM5223;用于RS-422

分类:新品快报 时间:2010/8/27 阅读:348

联电通过资本支出18.19亿美元

联电日前调高资本支出,25日董事会正式通过2010年资本支出追加计画,2010年总预算调高至18.19亿美元,主要用以扩充12寸与8寸厂产能。联电原订2010年资本支出为12亿~15亿美元,执行长孙世伟在8月初法人说明会中即宣布,将资本支出调高至1

分类:名企新闻 时间:2010/8/27 阅读:635

台联电认购兆远科技250万股

台联电(2303)8月23日代子公司宏诚创投发布公告,已以6,750万元金额取得兆远科技私募250万股股权,旨在串起整个led生产链。据统计,联电累计取得兆远科技358万9,920股,持股比重达5.75%。此外,台厂晶电也计划参与兆远私募达7,50

分类:业界要闻 时间:2010/8/24 阅读:1115

英联电子推出串行通信收发器UM491/UM3491系列

英联电子(Unionsemiconductor,Inc.)日前推出用于RS-422通信的低功耗串行通信收发器UM491/UM3491系列。该器件采用DIP/SOP14脚封装,具有业界标准的兼容脚位,能够满足客户产品设计对小外形尺寸及低功耗的需求。英

分类:新品快报 时间:2010/8/24 阅读:506 关键词:通信

英联电子四通道模拟开关UM3670

英联电子(UnionSemiconductor,Inc)推出UM3670,是面向便携设备I/O通讯,存储控制,通讯信号切换的一个四通道模拟开关,使能控制端可以兼容CMOS与TTL逻辑电平。可广泛应用于手机、PDA、GPS等消费类电子市场实现高速

分类:新品快报 时间:2010/8/23 阅读:277

Linear推出SOT23封装的串联电压基准LT6654

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出SOT23封装的串联电压基准LT6654,该器件专门为在-40°C至125°C的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0.05%初始准确度、10ppm温度漂移和仅为1.6

分类:新品快报 时间:2010/8/12 阅读:1526 关键词:Linear

特变鲁缆试制成国内电压500kV交联电缆样品

日前,国内电压等级YJLW03290/500kV1×1600mm2交联电缆样品大长度试制成功,打破特变电工鲁缆公司新产品试制的又一临界点。500kV交联电缆是目前国内电压等级的电缆产品,该产品具有容量大、损耗低、可靠性高等特点,能极大地提高

分类:业界要闻 时间:2010/8/10 阅读:634

联电:第三季接单全满了

晶圆代工大厂联电(2303)昨(4)日举行法说会,第2季税后净利达52.7亿元,本业获利创五年半来新高。联电执行长孙世伟表示,第3季高阶制程成长动能强劲,65奈米以下先进制程占营收比重将达3成以上,第3季接单目前仍是全满,其中又以消费...

分类:名企新闻 时间:2010/8/5 阅读:1110

联电毛利率挑战30%

晶圆代工二哥联电(2303)第二季法说会,今(4)日登场。由于台积电(2330)上周法说预期下半年景气暂时趋缓,法人对联电下半年营运成长趋势保守以对。不过,联电先进制程比重拉高,第三季毛利率有机会挑战30%,创五年单季新高。联电原规...

分类:名企新闻 时间:2010/8/4 阅读:932

日本新电元解决串联电路的开路问题

日本新电元工业宣布,他们已经开发出了可以防止在LED发生开路故障时所有照明都熄灭的双向晶闸管“K1VZL09/K1VZL20”,并将于2010年4月开始量产。主要面向不能全部都熄灭的路灯、投光器、紧急指示灯以及信号灯等用途。其产品名称为“SAIDA

分类:业界要闻 时间:2010/6/29 阅读:2582

台湾联电:明年试产28nm工艺3D堆叠芯片

据悉,台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始,使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片,并于2012年批量投产。联电CEO孙世伟(Shih-WeiSun)表示,这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术,是联电与日本尔必达、台湾力成科技(

分类:名企新闻 时间:2010/6/24 阅读:986 关键词:28nm

联电:明年试产28nm工艺3D堆叠芯片

据悉,台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始,使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片,并于2012年批量投产。联电CEO孙世伟(Shih-WeiSun)表示,这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术,是联电与日本尔必达、台湾力成科技(

分类:名企新闻 时间:2010/6/23 阅读:625 关键词:28nm

联电、尔必达、力成宣布联手开发TSV 3D IC技术

随着半导体微缩制程演进,3DIC成为备受关注的新一波技术,在3DIC时代来临下,半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日,一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV)3DIC制程。据了解,由联电以逻辑IC堆叠的前段晶圆制

分类:名企新闻 时间:2010/6/22 阅读:374 关键词:尔必达

联电通过私募案将贴近市价发行

联电15日召开股东会,会中通过私募增资案,联电董事长洪嘉聪指出,为维护股东权益,目前的股价不会发行,未来发行价格将贴近市价,而大股东也不会参与。对于第3季状况,财务长刘启东表示,第3季产能依然吃紧,其中以高阶制程最紧。联电股...

分类:名企新闻 时间:2010/6/17 阅读:718

分析师如何看台湾联电的未来

台代工大厂联电(UMC)刚庆祝它诞生30周年。尽管现时产业一片叫好,但是产业界仍有人怀疑代工业未来的生存前景,包括代工业的技术是否己经落后,如近期关键客户Xilinx抱怨它的40纳米成品率问题。因此2010年对于联电是否会成为它的盛宴。...

分类:行业趋势 时间:2010/5/27 阅读:3314