场效应晶体管

场效应晶体管资讯

华为公开“集成电路及其制作方法、场效应晶体管”专利

根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”,公开号为CN116636017A。 专利摘要显示,...

分类:业界动态 时间:2023/8/23 阅读:298 关键词:华为集成电路

KEC为韩国首屈一指的LCD制造商 提供低压场效应晶体管产品

电力芯片专业企业KEC披露正在为韩国首屈一指的LCD产品制造商提供低压场效应晶体管(Low Voltage MOSFET),从2020年下半年开始供货,计划供货至2023年。 供货的低压场效应晶体管产品将用于跨国品牌一体式电脑的LCD所搭载的定时控制...

时间:2022/8/24 阅读:128 关键词:晶体管

EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器

EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaNFET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN?FE...

分类:新品快报 时间:2022/7/25 阅读:1173

EPC新推最小型化的100 V 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)新推100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 ...

分类:新品快报 时间:2022/5/18 阅读:4030

EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板

EPC9137是一款两相的48V/12V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池备用装置。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9137,...

分类:新品快报 时间:2021/5/14 阅读:14141

宜普电源转换公司推出170V氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)近日宣布推出170V、6.8m?的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN?FET),与目前用于高性能48V同步整流的器件相比,EPC为设计工程师提供更小型化、更高效...

分类:新品快报 时间:2020/12/22 阅读:5697

宜普电源转换公司推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。  增强...

分类:新品快报 时间:2020/8/27 阅读:1425 关键词:晶体管

Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产

Transphorm宣布,该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JE...

分类:新品快报 时间:2020/8/20 阅读:1848 关键词:Transphorm场效应晶体管

TI 德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用

德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员...

分类:新品快报 时间:2018/12/7 阅读:1222 关键词:晶体管

OptiMOS™线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMO...

分类:新品快报 时间:2017/8/24 阅读:648

OptiMOS推出线性场效应晶体管,兼具低RDS(on)值与大安全工作区

英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模...

分类:新品快报 时间:2017/7/31 阅读:540 关键词:晶体管

东芝推出新隧穿场效应晶体管

东芝面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用到一些电路块中,可实现大幅降低MCU的功耗。9月9日和10日,东芝在

分类:新品快报 时间:2014/9/19 阅读:1086 关键词:晶体管

我国成功制备二维黑磷场效应晶体管

记者从中国科学技术大学获悉,该校微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作,在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展,成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管...

分类:新品快报 时间:2014/6/18 阅读:319 关键词:晶体管

EPC推出第二代氮化镓场效应晶体管

日前消息,宜普电源转换公司(EPC)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)系列的成员EPC2014。EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能,具有环保特性。EPC2014FET是

分类:新品快报 时间:2011/8/31 阅读:548 关键词:晶体管

宜普推第二代eGaN场效应晶体管

日前,宜普电源转换公司宣布推出第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的成员EPC2010,这款产品具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。EPC2010FET是一款200VDS器件,RDS(ON)值为2

分类:新品快报 时间:2011/6/10 阅读:231 关键词:晶体管