TDK公司日前宣布,它已完成GBDriverHS1固态驱动器(SSD)控制器的开发,该控制器将用于笔记本电脑以及采用PC平台的工业系统硬件内的SSD。该SSD控制器业已商品化,装配该控制器的HS1系列SSD系列也已开始发货。目前,采用NAND闪存的
TDK推出高速163264GB 1.8英寸microSATA固态驱动器
TDK公司日前宣布,它已完成GBDriverHS1固态驱动器(SSD)控制器的开发,该控制器将用于笔记本电脑以及采用PC平台的工业系统硬件内的SSD。该SSD控制器业已商品化,装配该控制器的HS1系列SSD系列也已开始发货。目前,采用NAND闪存的
TDK开发出工业用15W和30W直流-直流绝缘型转换器CC-P-E系列
TDK公司宣布已经成功开发出了工业应用的新系列直流-直流绝缘型转换器。CC-P-E系列包括额定功率为15W或30W的总共64种产品,并从2008年7月开始,将使用TDK-Lambda品牌进行量产。诸如工厂自动化系统和计算机等工业设备,以及各种通信设
TDK于08年3月底完成了将电源公司电盛兰达收归为联合结算子公司的手续,目前正在向电盛兰达移交TDK的电源业务本部。移交后,将于08年10月1日把电盛兰达更名为“TDK-Lambda”。TDK一直致力于开发并提供富有性的高品质产品。在当今数字化
分类:名企新闻 时间:2008/4/21 阅读:305 关键词:TDK
TDK公司宣布已经成功开发出了工业应用的新系列直流-直流绝缘型转换器。CC-P-E系列包括额定功率为15W或30W的总共64种产品,并从2008年7月开始,将使用TDK-Lambda品牌进行量产。诸如工厂自动化系统和计算机等工业设备,以及各种通信设
电盛兰达株式会社宣布成为TDK全资子公司,公司名称将于2008年10月更改为“TDK-Lambda株式会社”。TDK一直致力于开发并提供富有性的高品质产品。在当今数字化和高度信息化的发展过程中,TDK公司应用其核心技术,将产品领域扩展到硬盘磁头
TDK开发出了可使平板电视电源底板厚度降至15mm的电源变压器、扼流线圈及噪音滤波器。而该公司原产品的厚度为:电源变压器和扼流线圈25mm、噪音滤波器22mm。与原产品电感特性和封装面积相同。“包括印刷底板在内,目前普通液晶电视上配备...
分类:业界要闻 时间:2008/4/15 阅读:1300 关键词:TDK
2008年3月电盛兰达株式会社成为TDK全资子公司。公司名称将于2008年10月更改为“TDK-Lambda株式会社”。通过与TDK电源事业部的整合,位列世界电源集团的超强电源厂商“TDK-Lambda株式会社”诞生了。电盛兰达株式会社作为电源
TDK公司日前宣布推出GBDriverRS1系列NAND闪存控制器LSI电路。新的GBDriverRS1兼容1.5GbpsSATAI,并且在当作NAND闪存控制器IC使用时,可以控制的4K字节/页的SLC(单级单元)和MLC(多级单元)NAND
TDK开发成功了可根据客户要求设定等效串联电阻(ESR)的积层陶瓷电容器。主要作为耗电量高达几十W的微处理器电源电路的去耦电容器。准备有外形尺寸为1.6mm×0.8mm×0.8mm的1608尺寸和2.0mm×1.25mm×0.85mm的2012尺寸
TDK近日宣布,它已经开发出了用于液晶显示器背光的换流IVT系列高压变压器,并开始大规模生产。诸如汽车导航系统和笔记本个人电脑等电子设备对液晶显示器的需求正在快速增长。由于显示器日趋轻薄,因此电子元件必须安装在日益狭窄的空间中...
继2006年1月份宣布收购Lambda美国集团与Lambda欧洲集团后,电盛兰达集团总裁铃木武夫近日在上海表示,这家全球主要的电源产品供应商将于2008年2月在东京与大阪证券交易所中止上市,从而完成其向TDK全资子公司的所有权转变。电盛兰达是工...
分类:名企新闻 时间:2008/2/1 阅读:4259 关键词:TDK
TDKCorporation宣布它已在12月份开发出并开始批量生产业界款*汽车夹具滤波器。这种新型滤波器被称为ZCAT08V-BK、ZCAT12V-BK。由于电子控制的应用随着日益进步的功能及可实现更多功能的电子设备的应用而变得越来越多,所以车
2007年8月23日,在位于辽宁大连经济开发区的TDK大连电子有限公司,TDK(知名磁性材料厂商)中国首次向媒体展示了TDK以环保为核心目标的“零排放”成果,并介绍了TDK正在全球范围内实施的一系列环境对策。来自《中国环境报》、《中国电子...
分类:业界要闻 时间:2007/12/13 阅读:162 关键词:TDK
IBM公司与TDK开始了一项研发合作,目的在于实现高密度磁RAM(MRAM)。这个为期4年的项目旨在采用自旋动量转移(spin-momentumtransfer)技术将MRAM的密度提高20倍。自旋动量转移是一种写入机制,据说比现有MRAM采用的磁