TDK半导体公司日前举办了TDK媒体专访会，出席会议的有东电化（上海）国际贸易有限公司董事长今井正弘和TDK株式会社EMC业务推进部的板垣一也，在访谈过程中我们了解到TDK的发展状况及其在中国的发展策略，同时今井正弘和板垣一也就媒体关...
分类：业界要闻 时间：2007/11/3 阅读：724 关键词：TDK
TDK在CEATEC上展出了用于非接触供电系统的铁氧体磁芯材料。这是一种供非接触供电系统的线圈等使用的铁氧体材料，具有损失小、可提高电力输送效率的特点。在会场上，TDK采用该材料构筑了非接触供电演示系统，并进行了现场演示。该材料主要...
TDK株式会社日前开发出了低变阻电压6.8V的积层压敏电阻“AVRM0603C6R8NT101N(0.6×0.3×0.3mm)”，已于6月份开始批量生产。作为积层压敏电阻，该产品在实现同行业的变阻电压的同时，体积方面也做到了同行业最小。随着手机
蓝色巨人IBM公司与日本的TDK公司联合，开发一种被称为STT-RAM的磁性型内存芯片技术，预计采用0.065微米工艺的原型产品将在未来的4年内开发出来。在STT-RAM中，加到磁铁上的电流将会改变磁场的方向，磁场方向的改变将会引进阻抗的变化，不...
IBM和TDK日前宣布，两家公司将携手研发大容量、高密度的MRAM(磁阻式随机存取存储器)芯片。IBM和TDK将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，在这项技术得到更加广泛的普及后，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求。...
本周一，IBM和TDK联合宣布，两家公司将合作开发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与闪存雷同，而写入速度比闪存快。目前市场上的MRAM芯片容...
IBM和TDK周一宣布，两家公司将携手研发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。IBM和TDK将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，在这项技术得到更加广泛的普及后，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求...
据国外媒体报道，IBM和TDK本周一宣布双方将联合开发高密度、高储存容量的MRAM(磁性储存)芯片。二公司表示，它们将研究采用“自旋动量转移”(spinmomentumtransfer)制造更小的数据储存单元。MRAM芯片采用磁场储存数据而不是电荷
TDK株式会社日前开发出了EMI滤波器TCM2010H，并将其投入市场。EMI滤波器TCM2010H在同行业内首次实现将2个滤波元件合并于单片元件中(阵列化)，适用于高速数据传送线，特别是可以满足HDMIver1.3在处理高速信号时的降噪需求。该产
TDKEMI滤波器可用于HDMI、S-ATA等高速接口的EMI滤波
TDK株式会社日前开发出了EMI滤波器TCM2010H，并将其投入市场。EMI滤波器TCM2010H在同行业内首次实现将2个滤波元件合并于单片元件中(阵列化)，适用于高速数据传送线，特别是可以满足HDMIver1.3在处理高速信号时的降噪需求。该产
TDK株式会社日前开发出了低变阻电压6.8V的积层压敏电阻“AVRM0603C6R8NT101N(0.6×0.3×0.3mm)”，已于6月份开始批量生产。作为积层压敏电阻，该产品在实现同行业的变阻电压的同时，体积方面也做到了同行业最小。随着手机
TDK开发出了薄膜共模滤波器阵列EMI滤波器TCM2010H
TDK株式会社日前开发出了EMI滤波器TCM2010H，并将其投入市场。EMI滤波器TCM2010H在同行业内首次实现将2个滤波元件合并于单片元件中（阵列化），适用于高速数据传送线，特别是可以满足HDMIver1.3在处理高速信号时的降噪需求。该产
TDK株式会社日前开发出了低变阻电压6.8V的积层压敏电阻“AVRM0603C6R8NT101N(0.6×0.3×0.3mm)”，已于6月份开始批量生产。作为积层压敏电阻，该产品在实现同行业的变阻电压的同时，体积方面也做到了同行业最小。随着手机
TDK株式会社日前开发出了EMI滤波器TCM2010H，并将其投入市场。EMI滤波器TCM2010H在同行业内首次实现将2个滤波元件合并于单片元件中(阵列化)，适用于高速数据传送线，特别是可以满足HDMIver1.3在处理高速信号时的降噪需求。该产
TDK开发出了磁能积（磁性指标之一）高于该公司现有“NEOREC53系列”约5％的Nd-Fe-B（钕铁硼）类（钕类）磁铁“NEOREC55系列”。其中，矫顽力较高的品种“NEOREC50H”的磁能积为1420±20mT。虽然磁能积小于某
分类：名企新闻 时间：2007/4/19 阅读：1007 关键词：TDK
