台湾科研机构16nm工艺获突破 SRAM存储单元开发成功

台湾“国研院”纳米元件实验室日前宣布，成功开发出全球16nm功能性SRAM（静态随机存储）单元，标志着16nm制程工艺的重大突破。应用16nm工艺，可在1cm2的面积中容纳150亿个晶体管，容量是现有45nm工艺的10倍，而功耗预计可降低一半。

分类：业界要闻 时间：2009/12/17 阅读：1854 关键词：16nmSRAM