美国普渡大学(PurdueUniversity)的研究人员们研究出一种能够改善石墨烯单晶体阵列的制造方法，使其能实现类似於矽晶生产的方式与品质。据称这是普渡大学首次展示如何制作出具有规律的模式，以用於制造商用电子元件与积体电路。研究人员们...
分类：业界要闻 时间：2011/5/30 阅读：1002 关键词：单晶体
据韩国电子新闻报道，首尔大学电机工程学系教授李锺浩(译名)表示，日前英特尔宣布全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。在韩国及美国持有与英特尔发表的3D晶体管制程技术tri-gateMOSFET相同的bulkFinFET相关技
意法半导体（ST）推出新一代高频功率晶体管。新产品可有效延长如医用扫描仪和等离子发生器等大功率射频设备的运行时间，并可提高应用性能及降低设备成本。经制程升级后，意法半导体的射频功率MOSFET晶体管可承受高达200V的峰值电压，比同...
分类：新品快报 时间：2011/5/25 阅读：342 关键词：晶体管
日前，IMEC（欧洲微电子中心）主席LucvandenHove表示，继英特尔公布将采用FinFET垂直型晶体管结构后，其他公司也将在22nm时代选择改良型FinFET晶体管。但到目前为止，尚无任何其他公司宣布FinFET制程细节，瓶颈主要来源于CA
5月13日消息，据国外媒体报道，英特尔正在研制超越上个星期宣布的3D晶体管的新的凌动芯片架构，因为英特尔要加快开发其最节能的芯片设计。据熟悉英特尔计划的知情人士对CNET网站称，英特尔代号为“Silvermont”的新的基于凌动芯片的微架...
英特尔(Intel)日前大动作地发表了其年度科技大突破，号称其3D三闸(Tri-Gate)晶体管技术，将可望为其进军行动处理器市场，铺下一条平坦大道，但根据ZDNet网站引述市调研究机构Gartner分析师的意见指出，英特尔在通讯技术方面的发展，屡
英特尔(Intel)日前大动作地发表了其年度科技大突破，号称其3D三闸(Tri-Gate)晶体管技术，将可望为其进军行动处理器市场，铺下一条平坦大道，但根据ZDNet网站引述市调研究机构Gartner分析师的意见指出，英特尔在通讯技术方面的发展，屡
分类：业界要闻 时间：2011/5/11 阅读：376 关键词：晶体管
业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在年底进行规模量产，批量投产研发代号...
上周英特尔宣布开发出世界三维结构晶体管，在微处理器上实现了50多年来的最重大突破。但Gartner分析师指出，英特尔3DTri-Gate晶体设计将不足以达成该公司在手机与平板计算...
5月5日，英特尔在其北京的中国研究院宣布，22nm三栅极（Tri-Gate）的革命性3D晶体管将批量生产，还将在2011年底前批量投产研发代号为IvyBridge的22nm微处理器芯片，它将是...
分类：业界要闻 时间：2011/5/8 阅读：438 关键词：晶体管
维库电子市场网讯，北京时间2011年5月5日，英特尔在京召开了全新3-D结构晶体管的发布会，会上，英特尔半导体(大连)有限公司总经理柯必杰作为英特尔技术与制造事业部亚洲区发言人，对全新的3-D结构晶体管以及22nm制造工艺做出了详细的介绍...
维库电子市场网讯，5月5日上午消息，英特尔周三在旧金山展示了一项全新的3D晶体管技术，可以在性能不变的情况下，将处理器能耗降低一半。英特尔宣布其研发的3D晶体管将首次投入批量生产，并将用于英特尔代号为IvyBridge的22纳米处理器。...
维库电子市场网讯，飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOSRF功率晶体管，允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。这两个高效率晶体管有助于降低运营和资本支出，它们的宽瞬时带宽允许网络运营商改善网络的灵活性。目前使用的大部分...
分类：新品快报 时间：2011/5/5 阅读：1271 关键词：晶体管
英特尔于5月4日宣布将在22nm节点采用“Tri-Gate”（三栅）晶体管技术，实现了历史性的技术突破。据英特尔介绍说，3-DTri-Gate晶体管能够支持技术发展速度，它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升，并且可以更节能，新...
