日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球RFMicroDevices,Inc.宣布已通过并生产RF3932，这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是
分类：新品快报 时间：2010/12/1 阅读：329 关键词：晶体管
安森美半导体(ONSemiconductor)进一步扩充其PureEdge硅压控晶体振荡器(VCXO)系列，推出6款新器件。NBVSPAXXX系列VCXO时钟模块的设计用于满足当今3.3V低压差分信令(LVDS)时钟产生应用的精确要求。这些高性能器
分类：新品快报 时间：2010/11/18 阅读：953 关键词：振荡器
英飞凌科技(InfineonTEchnologies)公司是全球的半导体公司之一，其高可靠性，高质量的产品覆盖了模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置等领域。在射频方面，英飞凌近期推出了一系列LDMOS晶体管，第九代产品大功率管以PT
分类：新品快报 时间：2010/11/2 阅读：437 关键词：晶体管
在中国，英飞凌(InfineonTEchnologies)先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其雄厚的技术实力和全球的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。在LDMOS
分类：新品快报 时间：2010/10/21 阅读：428 关键词：晶体管
Solarbuzz上海办公室,2010年10月11日---根据出版的SolarBuzz全球光伏厂商、产能与设备季度报告，2010年第三季度电池厂商产能扩充冲破十亿瓦水平，从而带动了光伏设备投资支出达到新高纪录。第三季晶体硅(C-Si)锭到模块(
分类：业界要闻 时间：2010/10/12 阅读：1024
中国科学院院士陈创天说，我国生产的LBO晶体，占世界销量的80%，每年销售额接近700万美元。目前可工业化应用的非线性光学晶体，如：LBO，BBO，KTP等，我国占了近3/5，供应...
分类：业界要闻 时间：2010/9/30 阅读：208
飞思卡尔半导体推出3款新型RFLDMOS功率晶体管，提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大器（MCPA）要求的超高输出电平。飞思卡尔MRF8S18260H/S、MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S产品是飞思卡尔RF
分类：新品快报 时间：2010/9/30 阅读：380 关键词：晶体管
松下宣布，开发出了将功率晶体管直接浸入液体冷却的技术（下称直接液浸冷却技术）。可在减压的封装内封入半导体芯片和液体，利用温度稍有上升，液体就会沸腾气化而吸热的作用来直接冷却半导体芯片表面。松下在发布时表示，GaN功率晶体管...
分类：业界要闻 时间：2010/9/29 阅读：491 关键词：晶体管
恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.今天宣布推出广播发射机和工业用600WLDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470-860MHz完整
恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管
恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.(Nasdaq:NXPI)今天宣布推出广播发射机和工业用600WLDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支
分类：新品快报 时间：2010/9/28 阅读：1816 关键词：恩智浦
逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔...
日本早稻田大学制作出了在所有工序中都采用喷墨技术、活性层使用单层纳米管（SWCNT）的TFT.这一成果已在2010年9月14日于长崎大学举行的第71届日本应用物理学会学术演讲会上发布（演讲序号：14a-B-4）。相关论文也已发表在学术杂志上。开...
我国每年的科研成果数以万计，但真正能够产业化的比例较少，科研与经济“两张皮”现象一直是困扰我国经济建设和社会发展的难题。党中央、国务院一直把推动科技经济相互融合作为我国科技工作的重点，把推动科技成果产业化作为调整经济结构...
分类：业界要闻 时间：2010/9/9 阅读：261 关键词：中国
日前，晶龙集团旗下晶澳公司透露，该公司2010年第二季单季晶体硅太阳能电池片出货量达到311MW，超过德国太阳能行业龙头Q-Cells同期238MW的出货量，成为全球的晶体硅太阳能电池片供应商。该公司预计，今年全年晶体硅太阳能电池片发货量将...
