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英飞凌超低噪声值射频晶体将采用硅锗碳技术

英飞凌日前推出了针对低成本高性能射频半导体设备的新型硅锗碳(Silicon-GermaniumCarbon)制程技术。这种硅锗碳技术是英飞凌一代异质结双载子型晶体管(HBT)的基础。HBT为采用硅晶体的离散晶体管实现了全球的噪声值,在6GH

分类:业界要闻 时间:2006/7/3 阅读:1158

英特尔加紧开发新芯片技术 缩小晶体管体积

(电子市场网讯)北京时间6月13日消息,据国外媒体报道,英特尔技术研发团队表示,通过三门(tri-gate)晶体管及其他系列新技术,将有助于进一步压缩晶体管体积,进而开发出下一代高处理能力芯片。英特尔技术研发人员称,凭借三门绝缘、高介...

分类:名企新闻 时间:2006/6/14 阅读:918 关键词:晶体管英特尔

13日IT:英特尔晶体管速度有望提45%

(电子市场网讯)纽约时报:Google早期投资者注资在线视频工具网站,业余视频爱好者成为受益者搜索巨头Google早期投资者之一的科林格.配特金斯日前表示,将会向一家“在线视频短片编辑服务提供商”投资五百万美元。该公司名为OneTrueMedi

分类:业界要闻 时间:2006/6/14 阅读:618 关键词:晶体管英特尔

英特尔三闸晶体管技术 摩尔定律再延长十年

(电子市场网讯)英特尔研究人员发现了一种更好的隔离电路的方法,使他们能够在向每个处理器中加入更多的晶体管的时候能够节省能源。英特尔技术和生产事业部副总裁兼元件研究经理MikeMayberry表示,英特尔将在2010年之前开始使用这种新的“...

分类:名企新闻 时间:2006/6/14 阅读:872 关键词:晶体管英特尔

Zetex新型低电压双极晶体管有助提升功率密度

仿真信号处理及功率管理方案供货商ZetexSemiconductors,日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大SOT23封装的电流处理效能,可取代体积更大的等效SOT89和SOT223零件,有助设计人员缩减产品尺寸。Zetex善用了其先进的

分类:业界要闻 时间:2006/5/22 阅读:1145 关键词:Zetex晶体管

Zetex推出新型迷你晶体管

(电子市场网讯)模拟信号处理及功率管理解决方案供应商ZetexSemiconductors近日推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高SOT23封装的电流处理能力,还能替代体积较大的SOT89和SOT223等效元件,有助于设计人员缩减产品尺寸。

分类:新品快报 时间:2006/5/9 阅读:826 关键词:Zetex晶体管

功率晶体管市场规模07年将达纪录高位,MOSFET销售最“抢眼”

市场调研公司ICInsights的分析师RobLineback指出,消费电子设备的低电压运行、电池寿命延长和能量保护的需要,将推动功率晶体管市场在2007年达成创纪录的规模。价格下滑以及单位出货量增长的大幅放缓,都导致2005年功率

分类:业界要闻 时间:2006/4/26 阅读:1011 关键词:MOSFET晶体管

英特尔发布首款45纳米芯片 晶体管密度翻倍

(电子市场网讯)据海外媒体报道,英特尔公司日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片。与65纳米工艺相比,的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍,达到10亿个,开关速度提高了20%,而功耗却降低三成。据悉,英特尔的45纳米工艺被命名...

分类:名企新闻 时间:2006/2/7 阅读:787 关键词:晶体管英特尔

英特尔发布首款45纳米工艺芯片,晶体管密度翻倍

英特尔公司日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片,并初步披露了45纳米工艺细节。表示与65纳米工艺相比,的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍,达到10亿个,开关速度提高了20%,而功耗却降低三成。据称,英特尔的45纳米...

分类:名企新闻 时间:2006/2/6 阅读:826 关键词:晶体管英特尔

对抗LCD/PDP竞争,ST新型功率晶体管打造“超薄”CRT

意法半导体(ST)日前推出一系列高压功率双极晶体管,代号为HD1的系列产品专为超薄高清CRT(阴极射线管)显示器设计,能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。传统的CRT显示器目前被占用空间小的基于LCD(液晶显示器)或PDP(等离子显示...

分类:新品快报 时间:2005/12/16 阅读:938 关键词:晶体管

Dallas晶体时钟发生器具有可选倍频因子和抖动幅度

DallasSemiconductor近期推出一款晶体时钟发生器DS1080L。DS1080L内部集成锁相环(PLL),用于产生时钟输出,同时还具有三种引脚可选的倍频速率和三种抖动幅度,可降低EMI;其周期抖动低至75ps。DS1080L提供扩频禁

分类:新品快报 时间:2005/12/16 阅读:1509 关键词:发生器

英特尔改进锑化铟晶体管 十年内用于芯片生产

据外电报道,在本周三举行的国际电子器件会议上,英特尔研究人员宣布,该公司已经在“为新一代处理器开发采用硅以外材料的新型晶体管”方面取得进展。多年来,硅一直是生产芯片的基本材料,英特尔和其它芯片生产商大约每隔两年就能通过缩...

分类:业界要闻 时间:2005/12/9 阅读:735 关键词:晶体管英特尔

东芝利用肖特基S-D技术 晶体管性能得提升

东芝采用属于低电阻金属源-漏极技术——肖特基源-漏极,开发成功了新的晶体管,并公布了其性能改善效果。在日前召开的“2005SymposiumonVLSITechnology”会议上做了技术发表(演讲序号为9A-3)。肖特基源-漏极技术是指通过将源-

分类:业界要闻 时间:2005/6/27 阅读:770 关键词:晶体管

Dallas高时钟IC可取代基于晶体的计时方法

DallasSemiconductor推出一款为替代精确计时应用中的石英晶振而设计的I2C实时时钟(RTC)——DS3231。该器件集成了数种功能,可在较宽温度范围内提供优于每年±2秒的精度。DS3231时钟芯片将高度稳定的温补晶振(TCXO)、R

分类:新品快报 时间:2005/5/8 阅读:236 关键词:高精度

飞思卡尔300W LDMOS RF晶体管面向数模广播电视放大器

飞思卡尔半导体公司(FreescaleSemiconductorInc.)推出一款超高效射频功率晶体管——MRF6P3300H。该器件能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗,并降低运营成本。这款晶体管利用飞思卡尔先进的第六代高压(HV6)横向扩散

分类:新品快报 时间:2005/4/27 阅读:318 关键词:晶体管