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Nexperia推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞...

分类:新品快报 时间:2023/7/5 阅读:430 关键词:IGBT

纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515,专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET,IGBT而设计,可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人,空调压缩机,新能源汽车...

分类:新品快报 时间:2023/2/27 阅读:507

英飞凌推出全新 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 单管,进一步提高效率

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出650V关断电压的CoolSiC?HybridIGBT单管。新款CoolSiC?HybridIGBT结合了650VTRENCHSTOP?5IGBT及CoolSiC?肖特基势垒二极管...

分类:新品快报 时间:2021/2/24 阅读:6687

动力电池和燃料电池行业白名单管理办法发布

4月26日,中汽协和中国汽车动力电池产业创新联盟联合启动汽车动力蓄电池和氢燃料电池行业白名单申报工作,4月26日起正式启动批白名单的申报受理工作,白名单受理为不定期制...

分类:政策标准 时间:2018/4/28 阅读:2618 关键词:动力电池燃料电池

Infineon 推出面向单管IGBT的TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封装

英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP Advanced Isolation。TRENCHSTOP Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT,确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化,可取代全塑封封装(Ful...

分类:新品快报 时间:2017/7/19 阅读:515 关键词:Infineon

Infineon采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容,推出电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断...

分类:新品快报 时间:2017/7/19 阅读:584 关键词:Infineon

采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管产品组合阵容,推出电流达75 A的新产品系列。同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封...

分类:新品快报 时间:2017/6/28 阅读:733 关键词:IGBT单管封装

LED显示屏企业简单管理如何做?

所谓简单管理是指企业在生产经营管理过程中,能够准确把握问题的本质,找出事物的规律,立足当前,着眼长远,围绕中心,突出重点,去除一切多余的工作环节,致力于提高企业的核心竞争力,促进企业的可持续发展。简单管理要求企业有较强的...

分类:业界动态 时间:2017/4/13 阅读:250 关键词:lead显示屏

英飞凌RC-E系列单管IGBT可直接升级现有设计,树立性价比新基准

感应加热电器通常采用谐振拓扑结构,需要单管IGBT在18kHz至40kHz的开关频率范围内表现出性能。英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出能够满足这些需求的全新单管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能经专门优化

分类:名企新闻 时间:2016/10/26 阅读:352 关键词:IGBT英飞凌

炬光科技发布高功率8W808nm单管半导体激光器

西安炬光科技日前发布了高功率808nm8W的单管半导体激光器。该产品采用200?m发光条芯片,输出功率超过8W。这款产品的发布,也使得炬光科技成为世界上少数几家可以生产808nm单管输出功率超过8W的半导体激光器生产厂商之一。炬光8W单管采用...

分类:新品快报 时间:2009/9/11 阅读:1576 关键词:半导体激光器

Gartner再次调降2009年设备支出预期柬言设备商加强订单管理

据SemiconductorInternational网站报道,市场调研公司Gartner日前再次调降半导体设备支出预期,预警明年产业资本支出可能下滑17%,设备收入可能减少18%。10月,Gartner称2009年设备需求将小于预期,本月早些时候

时间:2008/11/19 阅读:763 关键词:Gartner

单管变压器耦合功率放大电路

如图(a)所示为单管变压器耦合功率放大电路,因为变压器原边线圈电阻可忽略不计,所以直流负载线如图(b)所示。(uCE=VCC-iCRC,RC=0,uCE=VCC。)若忽略晶体管基极回路的损耗,则电源提供的功率为PV=ICQVCC从变压器原边向负载方

分类:业界要闻 时间:2007/1/29 阅读:514 关键词:变压器